半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2011年
6期
425-429,450
,共6页
Ta2O5薄膜%射频磁控溅射%C-V特性%退火%高介电常数
Ta2O5薄膜%射頻磁控濺射%C-V特性%退火%高介電常數
Ta2O5박막%사빈자공천사%C-V특성%퇴화%고개전상수
用射频磁控溅射法制备了Ta2O5高介电薄膜,并对其进行了退火处理.用C-V,(G/ω)-V和I-V方法研究了Al/Ta2O5/p-Si结构的电学特性,观测到了C-V和(G/ω)-V的频散效应.认为串联电阻、Si/Ta2O5界面的界面态密度、边缘俘获是频散效应的主要原因,提取了界面态密度和边缘俘获电荷的大小.同时也研究了不同的退火温度对这些参数以及漏电流的影响,经600℃退火后,样品的电容最大,俘获电荷密度和漏电流最小,器件的电学性能最佳.
用射頻磁控濺射法製備瞭Ta2O5高介電薄膜,併對其進行瞭退火處理.用C-V,(G/ω)-V和I-V方法研究瞭Al/Ta2O5/p-Si結構的電學特性,觀測到瞭C-V和(G/ω)-V的頻散效應.認為串聯電阻、Si/Ta2O5界麵的界麵態密度、邊緣俘穫是頻散效應的主要原因,提取瞭界麵態密度和邊緣俘穫電荷的大小.同時也研究瞭不同的退火溫度對這些參數以及漏電流的影響,經600℃退火後,樣品的電容最大,俘穫電荷密度和漏電流最小,器件的電學性能最佳.
용사빈자공천사법제비료Ta2O5고개전박막,병대기진행료퇴화처리.용C-V,(G/ω)-V화I-V방법연구료Al/Ta2O5/p-Si결구적전학특성,관측도료C-V화(G/ω)-V적빈산효응.인위천련전조、Si/Ta2O5계면적계면태밀도、변연부획시빈산효응적주요원인,제취료계면태밀도화변연부획전하적대소.동시야연구료불동적퇴화온도대저사삼수이급루전류적영향,경600℃퇴화후,양품적전용최대,부획전하밀도화루전류최소,기건적전학성능최가.
