CAJ | 학술논문

万方数据

固体电子学研究与进展 고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2011年 3期 223-225,232 ,共4页

倪炜江%李宇柱%李哲洋%李赟%王雯%贾铃铃%柏松%陈辰

예위강%리우주%리철양%리빈%왕문%가령령%백송%진신

4H-SiC%结势垒肖特基二极管%高耐压 4H-SiC%結勢壘肖特基二極管%高耐壓
4H-SiC%결세루초특기이겁관%고내압

在76.2 mm 4H-SiC晶圆上采用厚外延技术和器件制作工艺研制的结势垒肖特基二极管(JBS).在室温下,器件反向耐压达到2700 V.正向开启电压为0.8V,在VF=2V时正向电流密度122 A/cm2,比导通电阻Ron=8.8 mΩ·cm2.得到肖特基接触势垒qφв=1.24 eV,理想因子n=1.
재76.2 mm 4H-SiC정원상채용후외연기술화기건제작공예연제적결세루초특기이겁관(JBS).재실온하,기건반향내압체도2700 V.정향개계전압위0.8V,재VF=2V시정향전류밀도122 A/cm2,비도통전조Ron=8.8 mΩ·cm2.득도초특기접촉세루qφв=1.24 eV,이상인자n=1.