半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2005年
5期
910-916
,共7页
刘培东%姜益群%黄笑容%沈益军%李立本%阙端麟
劉培東%薑益群%黃笑容%瀋益軍%李立本%闕耑麟
류배동%강익군%황소용%침익군%리립본%궐단린
氧沉淀%碳氧复合物%直拉硅%硅中氧%硅中碳
氧沉澱%碳氧複閤物%直拉硅%硅中氧%硅中碳
양침정%탄양복합물%직랍규%규중양%규중탄
应用红外光谱、高分辨透射电镜研究了高碳CZ硅中的氧沉淀.实验表明:高碳样品中有两种成核长大机制形成的氧沉淀,一是多碳中心的异质成核长大的氧沉淀,碳原子同时参与氧沉淀的成核和长大,红外光谱上1230cm-1处无氧沉淀的特征峰,TEM观察这种氧沉淀是10～30nm高密度的球状小沉淀;另一种氧沉淀类似于低碳样品中均匀成核长大的氧沉淀,它在红外光谱上1230cm-1处有吸收峰,TEM观察这种氧沉淀是100～300nm各种形态的大沉淀.热处理条件不同可以改变两种机制相互竞争的优势,低于900℃的热处理以异质成核为主,而只有经过1200℃高温预处理破坏异质核心后,再在900℃以上热处理时,均匀成核长大的氧沉淀才会占优势.
應用紅外光譜、高分辨透射電鏡研究瞭高碳CZ硅中的氧沉澱.實驗錶明:高碳樣品中有兩種成覈長大機製形成的氧沉澱,一是多碳中心的異質成覈長大的氧沉澱,碳原子同時參與氧沉澱的成覈和長大,紅外光譜上1230cm-1處無氧沉澱的特徵峰,TEM觀察這種氧沉澱是10～30nm高密度的毬狀小沉澱;另一種氧沉澱類似于低碳樣品中均勻成覈長大的氧沉澱,它在紅外光譜上1230cm-1處有吸收峰,TEM觀察這種氧沉澱是100～300nm各種形態的大沉澱.熱處理條件不同可以改變兩種機製相互競爭的優勢,低于900℃的熱處理以異質成覈為主,而隻有經過1200℃高溫預處理破壞異質覈心後,再在900℃以上熱處理時,均勻成覈長大的氧沉澱纔會佔優勢.
응용홍외광보、고분변투사전경연구료고탄CZ규중적양침정.실험표명:고탄양품중유량충성핵장대궤제형성적양침정,일시다탄중심적이질성핵장대적양침정,탄원자동시삼여양침정적성핵화장대,홍외광보상1230cm-1처무양침정적특정봉,TEM관찰저충양침정시10～30nm고밀도적구상소침정;령일충양침정유사우저탄양품중균균성핵장대적양침정,타재홍외광보상1230cm-1처유흡수봉,TEM관찰저충양침정시100～300nm각충형태적대침정.열처리조건불동가이개변량충궤제상호경쟁적우세,저우900℃적열처리이이질성핵위주,이지유경과1200℃고온예처리파배이질핵심후,재재900℃이상열처리시,균균성핵장대적양침정재회점우세.
