兰州交通大学学报
蘭州交通大學學報
란주교통대학학보
JOURNAL OF LANZHOU JIAOTONG UNIVERSITY（Natural Sciences）
2008年
1期
160-163
,共4页
射频磁控溅射%氮化硅薄膜%光致发光
射頻磁控濺射%氮化硅薄膜%光緻髮光
사빈자공천사%담화규박막%광치발광
用射频磁控溅射技术制备了氮化硅薄膜,室温下测试了薄膜的光致发光谱(PL)和光致发光激发谱(PLE),对薄膜材料的发光特性进行了分析.结果表明,在可见光范围内薄膜有很好的光致发光性质.在波长为381 nm的光激发下,SiNx薄膜的主要发光峰位于520 nm(2.38 eV), 553 nm(2.24 eV), 573 nm(2.16 eV),587 nm(2.11 eV)和627 nm(1.98 eV),主要来自电子在导带与缺陷能级才以及缺陷能级与价带之间的辐射复合.
用射頻磁控濺射技術製備瞭氮化硅薄膜,室溫下測試瞭薄膜的光緻髮光譜(PL)和光緻髮光激髮譜(PLE),對薄膜材料的髮光特性進行瞭分析.結果錶明,在可見光範圍內薄膜有很好的光緻髮光性質.在波長為381 nm的光激髮下,SiNx薄膜的主要髮光峰位于520 nm(2.38 eV), 553 nm(2.24 eV), 573 nm(2.16 eV),587 nm(2.11 eV)和627 nm(1.98 eV),主要來自電子在導帶與缺陷能級纔以及缺陷能級與價帶之間的輻射複閤.
용사빈자공천사기술제비료담화규박막,실온하측시료박막적광치발광보(PL)화광치발광격발보(PLE),대박막재료적발광특성진행료분석.결과표명,재가견광범위내박막유흔호적광치발광성질.재파장위381 nm적광격발하,SiNx박막적주요발광봉위우520 nm(2.38 eV), 553 nm(2.24 eV), 573 nm(2.16 eV),587 nm(2.11 eV)화627 nm(1.98 eV),주요래자전자재도대여결함능급재이급결함능급여개대지간적복사복합.
