太阳能学报
太暘能學報
태양능학보
ACTA ENERGIAE SOLARIS SINICA
2008年
9期
1112-1116
,共5页
任丙彦%张燕%郭贝%张兵%李洪源%许颖%王文静
任丙彥%張燕%郭貝%張兵%李洪源%許穎%王文靜
임병언%장연%곽패%장병%리홍원%허영%왕문정
异质结%太阳电池%计算机模拟
異質結%太暘電池%計算機模擬
이질결%태양전지%계산궤모의
采用德国HMI研发的AFORS-HET软件模拟了N型衬底非晶硅,单晶硅异质结太阳电池的特性,结果表明随着发射层厚度的增加,短路电流下降,电池的短波响应变差.在非晶硅,单晶硅异质结界面处加入不同的界面态密度(Dit).发现当Dit1012cm-2·eV-1时,电池的开路电压和填充因子均大幅减小,导致电池效率降低.当在非晶硅,单晶硅异质结界面处加入本征非晶缓冲层后,电池性能明显改善,但是缓冲层厚度应控制在30nm以内.模拟的a-Si/i-a-Si:H/c-Si/i-a-Si:H/n+a-Si双面异质结太阳电池的最高转换效率达到28.47%.
採用德國HMI研髮的AFORS-HET軟件模擬瞭N型襯底非晶硅,單晶硅異質結太暘電池的特性,結果錶明隨著髮射層厚度的增加,短路電流下降,電池的短波響應變差.在非晶硅,單晶硅異質結界麵處加入不同的界麵態密度(Dit).髮現噹Dit1012cm-2·eV-1時,電池的開路電壓和填充因子均大幅減小,導緻電池效率降低.噹在非晶硅,單晶硅異質結界麵處加入本徵非晶緩遲層後,電池性能明顯改善,但是緩遲層厚度應控製在30nm以內.模擬的a-Si/i-a-Si:H/c-Si/i-a-Si:H/n+a-Si雙麵異質結太暘電池的最高轉換效率達到28.47%.
채용덕국HMI연발적AFORS-HET연건모의료N형츤저비정규,단정규이질결태양전지적특성,결과표명수착발사층후도적증가,단로전류하강,전지적단파향응변차.재비정규,단정규이질결계면처가입불동적계면태밀도(Dit).발현당Dit1012cm-2·eV-1시,전지적개로전압화전충인자균대폭감소,도치전지효솔강저.당재비정규,단정규이질결계면처가입본정비정완충층후,전지성능명현개선,단시완충층후도응공제재30nm이내.모의적a-Si/i-a-Si:H/c-Si/i-a-Si:H/n+a-Si쌍면이질결태양전지적최고전환효솔체도28.47%.
