MOCVD外延生长高阻GaN薄膜材料
MOCVD외연생장고조GaN박막재료
High Resistivity GaN Film Grown by MOCVD
  • 万方数据
    半导体学报 반도체학보
    CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
    2005年 z1期 91-93 ,共3页

    方测宝%王晓亮%刘超%胡国新%王军喜%李建平%王翠梅%李成基%曾一平%李晋闽

    방측보%왕효량%류초%호국신%왕군희%리건평%왕취매%리성기%증일평%리진민

    MOCVD%GaN%电阻率 MOCVD%GaN%電阻率
    MOCVD%GaN%전조솔
    采用MOCVD技术在非有意掺杂的条件下,在C面蓝宝石衬底上制备出了高阻的GaN单晶薄膜样品.用扫描电子显微镜和原子力显微镜分析样品显示GaN外延膜的表面十分平整,表面粗糙度仅有～0.3nm.样品的X射线双晶衍射摇摆曲线(0002)峰的半峰宽为5.22',证实所生长的GaN外延层具有较好的结晶质量.变温Hall测量发现样品的室温电阻率高达6.6×108Ω·cm,250℃下的电阻率约为106Ω·cm.
    채용MOCVD기술재비유의참잡적조건하,재C면람보석츤저상제비출료고조적GaN단정박막양품.용소묘전자현미경화원자력현미경분석양품현시GaN외연막적표면십분평정,표면조조도부유～0.3nm.양품적X사선쌍정연사요파곡선(0002)봉적반봉관위5.22',증실소생장적GaN외연층구유교호적결정질량.변온Hall측량발현양품적실온전조솔고체6.6×108Ω·cm,250℃하적전조솔약위106Ω·cm.
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