半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2008年
1期
123-127
,共5页
田达晰%马向阳%曾俞衡%杨德仁%阙端麟
田達晰%馬嚮暘%曾俞衡%楊德仁%闕耑麟
전체석%마향양%증유형%양덕인%궐단린
300mm掺N直拉Si片%原生氧沉淀%径向分布
300mm摻N直拉Si片%原生氧沉澱%徑嚮分佈
300mm참N직랍Si편%원생양침정%경향분포
采取从某一温度(600～1000℃)开始缓慢升温至高温(1150℃)并保温若干时间的方法,使得直拉Si片中大于起始温度对应的氧沉淀临界尺寸的那一部分原生氧沉淀得以长大,然后通过傅里叶红外光谱测量氧浓度变化以及利用扫描红外显微术测量氧沉淀密度.通过这样的方法,定性地研究了300mm掺N直拉Si片的原生氧沉淀的径向分布.研究表明:氧沉淀异常区域(称为P区)的原生氧沉淀密度显著高于空位型缺陷区域(称为V区);此外,V区中的原生氧沉淀的尺寸分布是不连续的,表现为高温下形成的大尺寸原生氧沉淀和低温下形成的小尺寸氧沉淀,而P区中的原生氧沉淀的尺寸分布则是连续的.我们从直拉Si晶体生长过程中原生氧沉淀的形成机制出发,对上述结果做了定性的解释.
採取從某一溫度(600～1000℃)開始緩慢升溫至高溫(1150℃)併保溫若榦時間的方法,使得直拉Si片中大于起始溫度對應的氧沉澱臨界呎吋的那一部分原生氧沉澱得以長大,然後通過傅裏葉紅外光譜測量氧濃度變化以及利用掃描紅外顯微術測量氧沉澱密度.通過這樣的方法,定性地研究瞭300mm摻N直拉Si片的原生氧沉澱的徑嚮分佈.研究錶明:氧沉澱異常區域(稱為P區)的原生氧沉澱密度顯著高于空位型缺陷區域(稱為V區);此外,V區中的原生氧沉澱的呎吋分佈是不連續的,錶現為高溫下形成的大呎吋原生氧沉澱和低溫下形成的小呎吋氧沉澱,而P區中的原生氧沉澱的呎吋分佈則是連續的.我們從直拉Si晶體生長過程中原生氧沉澱的形成機製齣髮,對上述結果做瞭定性的解釋.
채취종모일온도(600～1000℃)개시완만승온지고온(1150℃)병보온약간시간적방법,사득직랍Si편중대우기시온도대응적양침정림계척촌적나일부분원생양침정득이장대,연후통과부리협홍외광보측량양농도변화이급이용소묘홍외현미술측량양침정밀도.통과저양적방법,정성지연구료300mm참N직랍Si편적원생양침정적경향분포.연구표명:양침정이상구역(칭위P구)적원생양침정밀도현저고우공위형결함구역(칭위V구);차외,V구중적원생양침정적척촌분포시불련속적,표현위고온하형성적대척촌원생양침정화저온하형성적소척촌양침정,이P구중적원생양침정적척촌분포칙시련속적.아문종직랍Si정체생장과정중원생양침정적형성궤제출발,대상술결과주료정성적해석.
