半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2008年
10期
895-898
,共4页
量子点%发光性质%光致发光谱测试
量子點%髮光性質%光緻髮光譜測試
양자점%발광성질%광치발광보측시
用PL谱测试研究了半导体量子点的光致发光性能,分析了不同In组分覆盖层对分子束外延生长的量子点发光特性的影响,及导致发光峰红移的原因.结果显示,In元素有效抑制界面组分的混杂,使得量子点的均匀性得到改善,PL谱半高宽变窄.用InAs覆盖的In0.5Ga0.5As/GaAs自组织量子点实现了1.3um发光.
用PL譜測試研究瞭半導體量子點的光緻髮光性能,分析瞭不同In組分覆蓋層對分子束外延生長的量子點髮光特性的影響,及導緻髮光峰紅移的原因.結果顯示,In元素有效抑製界麵組分的混雜,使得量子點的均勻性得到改善,PL譜半高寬變窄.用InAs覆蓋的In0.5Ga0.5As/GaAs自組織量子點實現瞭1.3um髮光.
용PL보측시연구료반도체양자점적광치발광성능,분석료불동In조분복개층대분자속외연생장적양자점발광특성적영향,급도치발광봉홍이적원인.결과현시,In원소유효억제계면조분적혼잡,사득양자점적균균성득도개선,PL보반고관변착.용InAs복개적In0.5Ga0.5As/GaAs자조직양자점실현료1.3um발광.
