发光学报
髮光學報
발광학보
CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE
2008年
5期
901-904
,共4页
孙晓娟%胡礼中%宋航%李志明%蒋红%缪国庆%黎大兵
孫曉娟%鬍禮中%宋航%李誌明%蔣紅%繆國慶%黎大兵
손효연%호례중%송항%리지명%장홍%무국경%려대병
微尖阵列%场发射%砷化镓%液相外延
微尖陣列%場髮射%砷化鎵%液相外延
미첨진렬%장발사%신화가%액상외연
利用选择液相外延的方法制备GaAs微尖阵列,通过扫描电子显微镜对微尖形貌进行了表征,并对此微尖阵列进行了场发射性能测试.结果表明,选择液相外延法制备的GaAs微尖呈金字塔状,两对面夹角为71°;微尖高度由生长窗口的尺寸决定,对底边为60 μm的微尖,其高度约为42 μm.此微尖阵列排列规则,具有场发射特性,开启电场约为5.1 V/μm.发射电流稳定,当电场由8.0 V/μm增加到11.9 V/μm,发射电流由6 μA增到74 μA,在发射时间超过3 h的情况下,电流波动不超过3%.另外,GaAs微尖阵列场发射的F-N曲线不为直线,分析表明是表面态和场渗透共同作用的结果.这对GaAs微尖阵列在场发射阴极方面的进一步研究具有重要的意义.
利用選擇液相外延的方法製備GaAs微尖陣列,通過掃描電子顯微鏡對微尖形貌進行瞭錶徵,併對此微尖陣列進行瞭場髮射性能測試.結果錶明,選擇液相外延法製備的GaAs微尖呈金字塔狀,兩對麵夾角為71°;微尖高度由生長窗口的呎吋決定,對底邊為60 μm的微尖,其高度約為42 μm.此微尖陣列排列規則,具有場髮射特性,開啟電場約為5.1 V/μm.髮射電流穩定,噹電場由8.0 V/μm增加到11.9 V/μm,髮射電流由6 μA增到74 μA,在髮射時間超過3 h的情況下,電流波動不超過3%.另外,GaAs微尖陣列場髮射的F-N麯線不為直線,分析錶明是錶麵態和場滲透共同作用的結果.這對GaAs微尖陣列在場髮射陰極方麵的進一步研究具有重要的意義.
이용선택액상외연적방법제비GaAs미첨진렬,통과소묘전자현미경대미첨형모진행료표정,병대차미첨진렬진행료장발사성능측시.결과표명,선택액상외연법제비적GaAs미첨정금자탑상,량대면협각위71°;미첨고도유생장창구적척촌결정,대저변위60 μm적미첨,기고도약위42 μm.차미첨진렬배렬규칙,구유장발사특성,개계전장약위5.1 V/μm.발사전류은정,당전장유8.0 V/μm증가도11.9 V/μm,발사전류유6 μA증도74 μA,재발사시간초과3 h적정황하,전류파동불초과3%.령외,GaAs미첨진렬장발사적F-N곡선불위직선,분석표명시표면태화장삼투공동작용적결과.저대GaAs미첨진렬재장발사음겁방면적진일보연구구유중요적의의.
