微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2009年
2期
219-223
,共5页
压控振荡器%开关电容阵列%调谐增益%温度计码%噪声滤除%相位噪声
壓控振盪器%開關電容陣列%調諧增益%溫度計碼%譟聲濾除%相位譟聲
압공진탕기%개관전용진렬%조해증익%온도계마%조성려제%상위조성
设计了一个应用于GSM850/EGSM900/DCS1800/PCS1900四频带直接调制锁相环发射机的宽带电感电容压控振荡器,采用温度计编码控制开关电容阵列,获得了宽频率覆盖范围,通过优化获得了良好的相位噪声性能.整个电路采用TSMC 0.18μm工艺实现,工作电压为3 V.仿真结果表明:压控振荡器的频率范围3 055～4 176 MHz(31%),调谐增益19 MHz/V变化至44MHz/V,相对最大调谐增益的变化值为56.8%,频偏20 MHz处相位噪声达到-155.7 dBc/Hz以下,最大功耗30 mW.
設計瞭一箇應用于GSM850/EGSM900/DCS1800/PCS1900四頻帶直接調製鎖相環髮射機的寬帶電感電容壓控振盪器,採用溫度計編碼控製開關電容陣列,穫得瞭寬頻率覆蓋範圍,通過優化穫得瞭良好的相位譟聲性能.整箇電路採用TSMC 0.18μm工藝實現,工作電壓為3 V.倣真結果錶明:壓控振盪器的頻率範圍3 055～4 176 MHz(31%),調諧增益19 MHz/V變化至44MHz/V,相對最大調諧增益的變化值為56.8%,頻偏20 MHz處相位譟聲達到-155.7 dBc/Hz以下,最大功耗30 mW.
설계료일개응용우GSM850/EGSM900/DCS1800/PCS1900사빈대직접조제쇄상배발사궤적관대전감전용압공진탕기,채용온도계편마공제개관전용진렬,획득료관빈솔복개범위,통과우화획득료량호적상위조성성능.정개전로채용TSMC 0.18μm공예실현,공작전압위3 V.방진결과표명:압공진탕기적빈솔범위3 055～4 176 MHz(31%),조해증익19 MHz/V변화지44MHz/V,상대최대조해증익적변화치위56.8%,빈편20 MHz처상위조성체도-155.7 dBc/Hz이하,최대공모30 mW.
