半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2010年
7期
673-675
,共3页
稀磁半导体%磁性%掺杂%离子注入%铁磁性
稀磁半導體%磁性%摻雜%離子註入%鐵磁性
희자반도체%자성%참잡%리자주입%철자성
采用离子注入方法在Si基底上制备了Fe和N共掺Si的薄膜样品.在没有N原子共掺的情况下,样品中掺入的Fe原子与Si反应生成了FeSi2,且薄膜的铁磁性非常微弱;而Fe与N共掺样品中没有发现FeSi2及Fe团簇,且在室温下显示明显的铁磁性.结果表明,N的引入对FeSi2的形成有一定的抑制作用,从而使样品的铁磁性增强.样品的输运性质也进一步证实了N的掺入使更多的Fe掺入到晶格中.
採用離子註入方法在Si基底上製備瞭Fe和N共摻Si的薄膜樣品.在沒有N原子共摻的情況下,樣品中摻入的Fe原子與Si反應生成瞭FeSi2,且薄膜的鐵磁性非常微弱;而Fe與N共摻樣品中沒有髮現FeSi2及Fe糰簇,且在室溫下顯示明顯的鐵磁性.結果錶明,N的引入對FeSi2的形成有一定的抑製作用,從而使樣品的鐵磁性增彊.樣品的輸運性質也進一步證實瞭N的摻入使更多的Fe摻入到晶格中.
채용리자주입방법재Si기저상제비료Fe화N공참Si적박막양품.재몰유N원자공참적정황하,양품중참입적Fe원자여Si반응생성료FeSi2,차박막적철자성비상미약;이Fe여N공참양품중몰유발현FeSi2급Fe단족,차재실온하현시명현적철자성.결과표명,N적인입대FeSi2적형성유일정적억제작용,종이사양품적철자성증강.양품적수운성질야진일보증실료N적참입사경다적Fe참입도정격중.
