微纳电子技术
微納電子技術
미납전자기술
MICRONANOELECTRONIC TECHNOLOGY
2011年
1期
53-57
,共5页
辛将%谢常青%李志超%朱效立%刘明%徐超%陈军宁
辛將%謝常青%李誌超%硃效立%劉明%徐超%陳軍寧
신장%사상청%리지초%주효립%류명%서초%진군저
微电镀%体硅腐蚀%等离子体刻蚀%X光平响应%紫外光曝光
微電鍍%體硅腐蝕%等離子體刻蝕%X光平響應%紫外光曝光
미전도%체규부식%등리자체각식%X광평향응%자외광폭광
针对X射线二极管平响应滤片的设计要求.采用电子束蒸发生长薄金层、紫外光曝光光刻、微电镀厚金层、体硅腐蚀制作镂空结构和等离子体刻蚀去掉PI等技术,成功制备了阵列结构的圆孔直径为5μm,周期为10.854/μm,金层厚度分别为50,400 nm的薄、厚两种金层滤片.电镀过程中采用台阶仪多次测量图形四周电镀厚度后取均值的方法得到尽可能准确的电镀厚金层.滤片交付实验后,在X光能量0.1～4 keV取得的平响应曲线标准偏差与均值之比在13%以内,可以满足相关单位的具体物理研究实验要求.
針對X射線二極管平響應濾片的設計要求.採用電子束蒸髮生長薄金層、紫外光曝光光刻、微電鍍厚金層、體硅腐蝕製作鏤空結構和等離子體刻蝕去掉PI等技術,成功製備瞭陣列結構的圓孔直徑為5μm,週期為10.854/μm,金層厚度分彆為50,400 nm的薄、厚兩種金層濾片.電鍍過程中採用檯階儀多次測量圖形四週電鍍厚度後取均值的方法得到儘可能準確的電鍍厚金層.濾片交付實驗後,在X光能量0.1～4 keV取得的平響應麯線標準偏差與均值之比在13%以內,可以滿足相關單位的具體物理研究實驗要求.
침대X사선이겁관평향응려편적설계요구.채용전자속증발생장박금층、자외광폭광광각、미전도후금층、체규부식제작루공결구화등리자체각식거도PI등기술,성공제비료진렬결구적원공직경위5μm,주기위10.854/μm,금층후도분별위50,400 nm적박、후량충금층려편.전도과정중채용태계의다차측량도형사주전도후도후취균치적방법득도진가능준학적전도후금층.려편교부실험후,재X광능량0.1～4 keV취득적평향응곡선표준편차여균치지비재13%이내,가이만족상관단위적구체물리연구실험요구.
