微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2012年
5期
642-645,650
,共5页
杨骁%齐骋%王亮%凌朝东
楊驍%齊騁%王亮%凌朝東
양효%제빙%왕량%릉조동
晶体振荡器%幅度控制%相位噪声%起振时间
晶體振盪器%幅度控製%相位譟聲%起振時間
정체진탕기%폭도공제%상위조성%기진시간
运用小信号等效模型和负阻分析法,对晶体振荡器的起振条件进行分析,并用Matlab进行了仿真验证.采用TSMC 0.18μtm CMOS工艺,设计了一种基于Pierce三点式振荡器结构的14 MHz晶体振荡电路.提出了一种新的幅度控制电路,提高了振荡器相位噪声性能,并降低了功耗.仿真结果表明,振荡器的相位噪声达到-129.5 dBc/Hz@1 kHz和-143.658 dBc/Hz@10kHz,具有优良的低相位噪声特性.
運用小信號等效模型和負阻分析法,對晶體振盪器的起振條件進行分析,併用Matlab進行瞭倣真驗證.採用TSMC 0.18μtm CMOS工藝,設計瞭一種基于Pierce三點式振盪器結構的14 MHz晶體振盪電路.提齣瞭一種新的幅度控製電路,提高瞭振盪器相位譟聲性能,併降低瞭功耗.倣真結果錶明,振盪器的相位譟聲達到-129.5 dBc/Hz@1 kHz和-143.658 dBc/Hz@10kHz,具有優良的低相位譟聲特性.
운용소신호등효모형화부조분석법,대정체진탕기적기진조건진행분석,병용Matlab진행료방진험증.채용TSMC 0.18μtm CMOS공예,설계료일충기우Pierce삼점식진탕기결구적14 MHz정체진탕전로.제출료일충신적폭도공제전로,제고료진탕기상위조성성능,병강저료공모.방진결과표명,진탕기적상위조성체도-129.5 dBc/Hz@1 kHz화-143.658 dBc/Hz@10kHz,구유우량적저상위조성특성.
