光电子·激光
光電子·激光
광전자·격광
JOURNAL OF OPTOECTRONICS·LASER
2003年
6期
602-605
,共4页
戴道锌%梅维泉%周勤存%何赛灵%何建军
戴道鋅%梅維泉%週勤存%何賽靈%何建軍
대도자%매유천%주근존%하새령%하건군
脊形波导%耦合效率%模式匹配%束传播法(BPM)
脊形波導%耦閤效率%模式匹配%束傳播法(BPM)
척형파도%우합효솔%모식필배%속전파법(BPM)
引入4种不同形状的模式匹配器,提高了SOI(Silicon-On-Insulator)脊形波导和单模光纤(SMF)的耦合效率.用三维束传播法(BPM)和重叠积分方法对这4种模式匹配器进行了结构设计和性能分析.结果表明,这4种模式匹配器对提高耦合效率的能力几乎相同;经过结构优化后,模式匹配器的耦合效率约提高了0.5 dB;当模式匹配器长度大于800 μm时,耦合效率几乎不随长度变化,因此模式匹配器长度取值应大于800 μm.最后分析了封装对准中的对准精度要求.若要求附加损耗小于0.3 dB,对准偏差须小于1 μm.
引入4種不同形狀的模式匹配器,提高瞭SOI(Silicon-On-Insulator)脊形波導和單模光纖(SMF)的耦閤效率.用三維束傳播法(BPM)和重疊積分方法對這4種模式匹配器進行瞭結構設計和性能分析.結果錶明,這4種模式匹配器對提高耦閤效率的能力幾乎相同;經過結構優化後,模式匹配器的耦閤效率約提高瞭0.5 dB;噹模式匹配器長度大于800 μm時,耦閤效率幾乎不隨長度變化,因此模式匹配器長度取值應大于800 μm.最後分析瞭封裝對準中的對準精度要求.若要求附加損耗小于0.3 dB,對準偏差鬚小于1 μm.
인입4충불동형상적모식필배기,제고료SOI(Silicon-On-Insulator)척형파도화단모광섬(SMF)적우합효솔.용삼유속전파법(BPM)화중첩적분방법대저4충모식필배기진행료결구설계화성능분석.결과표명,저4충모식필배기대제고우합효솔적능력궤호상동;경과결구우화후,모식필배기적우합효솔약제고료0.5 dB;당모식필배기장도대우800 μm시,우합효솔궤호불수장도변화,인차모식필배기장도취치응대우800 μm.최후분석료봉장대준중적대준정도요구.약요구부가손모소우0.3 dB,대준편차수소우1 μm.
