半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2004年
11期
1486-1490
,共5页
田俊%王志功%梁帮立%熊明珍%施毅%郑有炓
田俊%王誌功%樑幫立%熊明珍%施毅%鄭有炓
전준%왕지공%량방립%웅명진%시의%정유료
跨阻前置放大器%差分结构%高增益-带宽积%低噪声%低成本
跨阻前置放大器%差分結構%高增益-帶寬積%低譟聲%低成本
과조전치방대기%차분결구%고증익-대관적%저조성%저성본
采用本土CSMC 0.6μm标准CMOS技术设计实现了一种用于光纤用户网的CMOS跨阻前置放大器.电路采用差分结构以提高共模抑制比,减小高频下电源波动和寄生反馈通路的干扰,抑制衬底耦合噪声和温漂,从而有效抑制前置放大器的噪声.同时前置放大器为双端输出,易与后面差分结构的主放大器级联,无需单端-双端转换电路和片外元件,电路结构更为简单,实现了单片集成.电路采用单级放大结构,比通常的多级电路更为稳定.测试结果表明,前置放大器在5V电源电压下增益-带宽积可达1.4THzΩ,等效输入电流噪声为1.81pA/ Hz,可稳定工作在155Mb/s(STM-1)的速率上.
採用本土CSMC 0.6μm標準CMOS技術設計實現瞭一種用于光纖用戶網的CMOS跨阻前置放大器.電路採用差分結構以提高共模抑製比,減小高頻下電源波動和寄生反饋通路的榦擾,抑製襯底耦閤譟聲和溫漂,從而有效抑製前置放大器的譟聲.同時前置放大器為雙耑輸齣,易與後麵差分結構的主放大器級聯,無需單耑-雙耑轉換電路和片外元件,電路結構更為簡單,實現瞭單片集成.電路採用單級放大結構,比通常的多級電路更為穩定.測試結果錶明,前置放大器在5V電源電壓下增益-帶寬積可達1.4THzΩ,等效輸入電流譟聲為1.81pA/ Hz,可穩定工作在155Mb/s(STM-1)的速率上.
채용본토CSMC 0.6μm표준CMOS기술설계실현료일충용우광섬용호망적CMOS과조전치방대기.전로채용차분결구이제고공모억제비,감소고빈하전원파동화기생반궤통로적간우,억제츤저우합조성화온표,종이유효억제전치방대기적조성.동시전치방대기위쌍단수출,역여후면차분결구적주방대기급련,무수단단-쌍단전환전로화편외원건,전로결구경위간단,실현료단편집성.전로채용단급방대결구,비통상적다급전로경위은정.측시결과표명,전치방대기재5V전원전압하증익-대관적가체1.4THzΩ,등효수입전류조성위1.81pA/ Hz,가은정공작재155Mb/s(STM-1)적속솔상.
