CAJ | 학술논문

测量了Si/SiGe HBT在23～260℃温度范围内的Gummel图、理想因子n、不同基极电流下的发射结电压VBE、电流增益β、共发射极输出特性,以及Early电压VA的变化情况.结果表明,随电流和温度的增加,β减少,VBE随温度的变化率d VBE/dT小于同质结Si BJT.在高集电极-发射极电压和大电流下,在输出特性曲线上观察到了负微分电阻(NDR)特性.结果还显示,电流增益-Early电压积与温度的倒数(1/T)呈线性关系,这对模拟电路应用是很重要和有用的.
측량료Si/SiGe HBT재23～260℃온도범위내적Gummel도、이상인자n、불동기겁전류하적발사결전압VBE、전류증익β、공발사겁수출특성,이급Early전압VA적변화정황.결과표명,수전류화온도적증가,β감소,VBE수온도적변화솔d VBE/dT소우동질결Si BJT.재고집전겁-발사겁전압화대전류하,재수출특성곡선상관찰도료부미분전조(NDR)특성.결과환현시,전류증익-Early전압적여온도적도수(1/T)정선성관계,저대모의전로응용시흔중요화유용적.