材料研究学报
材料研究學報
재료연구학보
CHINESE JOURNAL OF MATERIALS RESEARCH
2007年
4期
409-413
,共5页
魏同波%王军喜%刘喆%李晋闽
魏同波%王軍喜%劉喆%李晉閩
위동파%왕군희%류철%리진민
无机非金属材料%GaN%CL%RBS/沟道%临界载荷
無機非金屬材料%GaN%CL%RBS/溝道%臨界載荷
무궤비금속재료%GaN%CL%RBS/구도%림계재하
采用MOCVD技术在Si衬底(111)面上生长了GaN外延膜,分析了薄膜表面形貌和Si基GaN的临界载荷,研究了表面发光性能和GaN晶体质量随深度的变化.结果表明,外延层的表面比较平整,多组超晶格插入层可以进一步降低位错密度,提高晶体质量.膜的表面有许多颗粒状的发光中心,除了强的带边峰外,还有弱的黄光带和红光带,这可能是ON与VGa所产生的深能级跃迁产生的.GaN的晶体质量具有梯度变化,GaN外延层的上层晶体质量比较好,界面附近比较差,但是外延层与衬底的结合强度较高,临界载荷达到2.05 N.
採用MOCVD技術在Si襯底(111)麵上生長瞭GaN外延膜,分析瞭薄膜錶麵形貌和Si基GaN的臨界載荷,研究瞭錶麵髮光性能和GaN晶體質量隨深度的變化.結果錶明,外延層的錶麵比較平整,多組超晶格插入層可以進一步降低位錯密度,提高晶體質量.膜的錶麵有許多顆粒狀的髮光中心,除瞭彊的帶邊峰外,還有弱的黃光帶和紅光帶,這可能是ON與VGa所產生的深能級躍遷產生的.GaN的晶體質量具有梯度變化,GaN外延層的上層晶體質量比較好,界麵附近比較差,但是外延層與襯底的結閤彊度較高,臨界載荷達到2.05 N.
채용MOCVD기술재Si츤저(111)면상생장료GaN외연막,분석료박막표면형모화Si기GaN적림계재하,연구료표면발광성능화GaN정체질량수심도적변화.결과표명,외연층적표면비교평정,다조초정격삽입층가이진일보강저위착밀도,제고정체질량.막적표면유허다과립상적발광중심,제료강적대변봉외,환유약적황광대화홍광대,저가능시ON여VGa소산생적심능급약천산생적.GaN적정체질량구유제도변화,GaN외연층적상층정체질량비교호,계면부근비교차,단시외연층여츤저적결합강도교고,림계재하체도2.05 N.
