发光学报
髮光學報
발광학보
CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE
2008年
3期
573-577
,共5页
周江%李卫%张贤高%徐骏%徐岭%李伟%陈坤基
週江%李衛%張賢高%徐駿%徐嶺%李偉%陳坤基
주강%리위%장현고%서준%서령%리위%진곤기
纳米硅阵列%场发射%非晶碳
納米硅陣列%場髮射%非晶碳
납미규진렬%장발사%비정탄
利用胶体小球掩蔽刻蚀技术,制备了单晶硅纳米阵列,利用原子力显微镜观察了硅阵列的表面形貌,实验结果表明,硅柱阵列具有高密度和较好的均匀性.同时研究了单晶硅纳米阵列的场电子发射特性.为了提高样品的场发射性能,在所制备的单晶硅有序纳米阵列上生长了一层非晶碳薄膜.与单晶纳米硅柱阵列相比,覆盖有非晶碳膜的样品的场电子发射特性有了明显的改善,表现在场发射的开启电场下降,同时场发射增强因子得到增加.结果表明非晶碳膜确实能够降低电子发射的表面有效势垒,从而增强了场电子发射特性.
利用膠體小毬掩蔽刻蝕技術,製備瞭單晶硅納米陣列,利用原子力顯微鏡觀察瞭硅陣列的錶麵形貌,實驗結果錶明,硅柱陣列具有高密度和較好的均勻性.同時研究瞭單晶硅納米陣列的場電子髮射特性.為瞭提高樣品的場髮射性能,在所製備的單晶硅有序納米陣列上生長瞭一層非晶碳薄膜.與單晶納米硅柱陣列相比,覆蓋有非晶碳膜的樣品的場電子髮射特性有瞭明顯的改善,錶現在場髮射的開啟電場下降,同時場髮射增彊因子得到增加.結果錶明非晶碳膜確實能夠降低電子髮射的錶麵有效勢壘,從而增彊瞭場電子髮射特性.
이용효체소구엄폐각식기술,제비료단정규납미진렬,이용원자력현미경관찰료규진렬적표면형모,실험결과표명,규주진렬구유고밀도화교호적균균성.동시연구료단정규납미진렬적장전자발사특성.위료제고양품적장발사성능,재소제비적단정규유서납미진렬상생장료일층비정탄박막.여단정납미규주진렬상비,복개유비정탄막적양품적장전자발사특성유료명현적개선,표현재장발사적개계전장하강,동시장발사증강인자득도증가.결과표명비정탄막학실능구강저전자발사적표면유효세루,종이증강료장전자발사특성.
