真空电子技术
真空電子技術
진공전자기술
VACUUM ELECTRONICS
2009年
3期
40-43
,共4页
杜康%徐伟%吴智量%贺中信%彭军
杜康%徐偉%吳智量%賀中信%彭軍
두강%서위%오지량%하중신%팽군
微波等离子体%化学气相沉积%金刚石膜%磁镜场
微波等離子體%化學氣相沉積%金剛石膜%磁鏡場
미파등리자체%화학기상침적%금강석막%자경장
在直接耦合式微波等离子体化学气相沉积金刚石膜装置的石英管反应腔加上磁镜场来更好地约束等离子体,使等离子体球成为"碟盘"状,提高了等离子体球的密度,在基本参数:反应压力2.5 kPa、基片温度450℃、气体流量为Ar:40sccm、CH4:4sccm、H2:60sccm不变的情况下,沉积面积直径由30 mm增长到50 mm,沉积速度由3.3 μm/h增长到3.8 μm/h,最大反射电流由15μA减小5 μA.从而大大减少了在石英管壁和观察窗的沉积,有效利用微波能量电离出更多的活性基团沉积出高质量的(类)金刚石薄膜.
在直接耦閤式微波等離子體化學氣相沉積金剛石膜裝置的石英管反應腔加上磁鏡場來更好地約束等離子體,使等離子體毬成為"碟盤"狀,提高瞭等離子體毬的密度,在基本參數:反應壓力2.5 kPa、基片溫度450℃、氣體流量為Ar:40sccm、CH4:4sccm、H2:60sccm不變的情況下,沉積麵積直徑由30 mm增長到50 mm,沉積速度由3.3 μm/h增長到3.8 μm/h,最大反射電流由15μA減小5 μA.從而大大減少瞭在石英管壁和觀察窗的沉積,有效利用微波能量電離齣更多的活性基糰沉積齣高質量的(類)金剛石薄膜.
재직접우합식미파등리자체화학기상침적금강석막장치적석영관반응강가상자경장래경호지약속등리자체,사등리자체구성위"설반"상,제고료등리자체구적밀도,재기본삼수:반응압력2.5 kPa、기편온도450℃、기체류량위Ar:40sccm、CH4:4sccm、H2:60sccm불변적정황하,침적면적직경유30 mm증장도50 mm,침적속도유3.3 μm/h증장도3.8 μm/h,최대반사전류유15μA감소5 μA.종이대대감소료재석영관벽화관찰창적침적,유효이용미파능량전리출경다적활성기단침적출고질량적(류)금강석박막.
