物理化学学报
物理化學學報
물이화학학보
ACTA PHYSICO-CHIMICA SINICA
2010年
11期
2927-2934
,共8页
张桥保%冯增芳%韩楠楠%林玲玲%周剑章%林仲华
張橋保%馮增芳%韓楠楠%林玲玲%週劍章%林仲華
장교보%풍증방%한남남%림령령%주검장%림중화
ZnO纳米棒阵列%CdS量子点%CdS量子点/ZnO纳米棒%连续式离子层吸附与反应法%光电化学性能
ZnO納米棒陣列%CdS量子點%CdS量子點/ZnO納米棒%連續式離子層吸附與反應法%光電化學性能
ZnO납미봉진렬%CdS양자점%CdS양자점/ZnO납미봉%련속식리자층흡부여반응법%광전화학성능
采用连续式离子层吸附与反应法制备了CdS量子点敏化的ZnO纳米棒电极.应用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)和透射电子显微镜(TEM)对CdS量子点/ZnO纳米棒电极的形貌、晶型和颗粒尺寸进行了分析和表征;采用光电流-电位曲线和光电流谱研究了不同CdS循环沉积次数及不同沉积浓度对复合电极的光电性能影响.结果表明,前驱体浓度都为0.1 mol·L-1且沉积15次敏化后的ZnO纳米棒阵列电极光电性能最好.与单纯的ZnO纳米棒阵列电极和单纯的CdS量子点电极相比,其光电转换效率显著提高,单色光光子-电流转换效率(IPCE)在380nm处达到76%.这是因为CdS量子点可以拓宽光的吸收到可见光区,并且在所形成的界面上光生载流子更容易分离.荧光光谱实验进一步说明了光电增强的原因是,两者间形成的界面中表面态大大减少,有利于减少光生电子和空穴的复合.
採用連續式離子層吸附與反應法製備瞭CdS量子點敏化的ZnO納米棒電極.應用掃描電子顯微鏡(SEM)、X射線衍射(XRD)和透射電子顯微鏡(TEM)對CdS量子點/ZnO納米棒電極的形貌、晶型和顆粒呎吋進行瞭分析和錶徵;採用光電流-電位麯線和光電流譜研究瞭不同CdS循環沉積次數及不同沉積濃度對複閤電極的光電性能影響.結果錶明,前驅體濃度都為0.1 mol·L-1且沉積15次敏化後的ZnO納米棒陣列電極光電性能最好.與單純的ZnO納米棒陣列電極和單純的CdS量子點電極相比,其光電轉換效率顯著提高,單色光光子-電流轉換效率(IPCE)在380nm處達到76%.這是因為CdS量子點可以拓寬光的吸收到可見光區,併且在所形成的界麵上光生載流子更容易分離.熒光光譜實驗進一步說明瞭光電增彊的原因是,兩者間形成的界麵中錶麵態大大減少,有利于減少光生電子和空穴的複閤.
채용련속식리자층흡부여반응법제비료CdS양자점민화적ZnO납미봉전겁.응용소묘전자현미경(SEM)、X사선연사(XRD)화투사전자현미경(TEM)대CdS양자점/ZnO납미봉전겁적형모、정형화과립척촌진행료분석화표정;채용광전류-전위곡선화광전류보연구료불동CdS순배침적차수급불동침적농도대복합전겁적광전성능영향.결과표명,전구체농도도위0.1 mol·L-1차침적15차민화후적ZnO납미봉진렬전겁광전성능최호.여단순적ZnO납미봉진렬전겁화단순적CdS양자점전겁상비,기광전전환효솔현저제고,단색광광자-전류전환효솔(IPCE)재380nm처체도76%.저시인위CdS양자점가이탁관광적흡수도가견광구,병차재소형성적계면상광생재류자경용역분리.형광광보실험진일보설명료광전증강적원인시,량자간형성적계면중표면태대대감소,유리우감소광생전자화공혈적복합.
