微纳电子技术
微納電子技術
미납전자기술
MICRONANOELECTRONIC TECHNOLOGY
2010年
12期
776-780
,共5页
王强%高杨%贾小慧%柏鹭
王彊%高楊%賈小慧%柏鷺
왕강%고양%가소혜%백로
微电子机械系统(MEMS)%梳齿谐振器%深反应离子刻蚀%高深宽比%倾斜角%谐振频率
微電子機械繫統(MEMS)%梳齒諧振器%深反應離子刻蝕%高深寬比%傾斜角%諧振頻率
미전자궤계계통(MEMS)%소치해진기%심반응리자각식%고심관비%경사각%해진빈솔
针对深反应离子刻蚀(DRIE)工艺加工高深宽比梳齿电容存在侧壁倾斜角的情况,分析了该倾斜角对梳齿谐振器频率的影响.为了使设计的梳齿谐振器频率符合应用要求,推导出了梳齿谐振器在正负侧壁倾斜角θ下的谐振频率计算公式.利用ANSYS Workbench 11.0平台,分别对侧壁倾斜角为0°,0.2°,0.35°和0.5°的情形进行了有限元建模与模态仿真.仿真结果表明:随着正倾斜角的增大,谐振频率减小;负倾斜角增大时,谐振频率增大,且一阶模态振形的平稳程度越差.比较数值仿真结果与考虑了正负倾斜角误差的梳齿谐振器谐振频率计算公式计算结果对比,吻合较好.
針對深反應離子刻蝕(DRIE)工藝加工高深寬比梳齒電容存在側壁傾斜角的情況,分析瞭該傾斜角對梳齒諧振器頻率的影響.為瞭使設計的梳齒諧振器頻率符閤應用要求,推導齣瞭梳齒諧振器在正負側壁傾斜角θ下的諧振頻率計算公式.利用ANSYS Workbench 11.0平檯,分彆對側壁傾斜角為0°,0.2°,0.35°和0.5°的情形進行瞭有限元建模與模態倣真.倣真結果錶明:隨著正傾斜角的增大,諧振頻率減小;負傾斜角增大時,諧振頻率增大,且一階模態振形的平穩程度越差.比較數值倣真結果與攷慮瞭正負傾斜角誤差的梳齒諧振器諧振頻率計算公式計算結果對比,吻閤較好.
침대심반응리자각식(DRIE)공예가공고심관비소치전용존재측벽경사각적정황,분석료해경사각대소치해진기빈솔적영향.위료사설계적소치해진기빈솔부합응용요구,추도출료소치해진기재정부측벽경사각θ하적해진빈솔계산공식.이용ANSYS Workbench 11.0평태,분별대측벽경사각위0°,0.2°,0.35°화0.5°적정형진행료유한원건모여모태방진.방진결과표명:수착정경사각적증대,해진빈솔감소;부경사각증대시,해진빈솔증대,차일계모태진형적평은정도월차.비교수치방진결과여고필료정부경사각오차적소치해진기해진빈솔계산공식계산결과대비,문합교호.
