北京化工大学学报（自然科学版）
北京化工大學學報（自然科學版）
북경화공대학학보（자연과학판）
JOURNAL OF BEIJING UNIVERSITY OF CHEMICAL TECHNOLOGY(NATURAL SCIENCE EDITION)
2011年
6期
104-108
,共5页
4H-SiC%绝缘栅双极型晶体管%阈值电压%击穿电压%开关特性
4H-SiC%絕緣柵雙極型晶體管%閾值電壓%擊穿電壓%開關特性
4H-SiC%절연책쌍겁형정체관%역치전압%격천전압%개관특성
运用半导体物理理论和功率器件模拟软件(SILVACO-TCAD),研究了新型宽禁带材料SiC槽栅结构IGBT功率半导体器件的电学特性,模拟了不同厚度和掺杂浓度漂移层和缓冲层的IGBT器件的阈值电压、开关特性和导通特性曲线,并分析了漂移层和缓冲层厚度及掺杂浓度对电学特性的影响.结果表明,当SiC-IGBT功率器件漂移层和缓冲层厚度分别为65 μm和2.5 μm,掺杂浓度分别为1×1015和5×1015 cm-3时,得到击穿电压为3400V,阈值电压为8V.
運用半導體物理理論和功率器件模擬軟件(SILVACO-TCAD),研究瞭新型寬禁帶材料SiC槽柵結構IGBT功率半導體器件的電學特性,模擬瞭不同厚度和摻雜濃度漂移層和緩遲層的IGBT器件的閾值電壓、開關特性和導通特性麯線,併分析瞭漂移層和緩遲層厚度及摻雜濃度對電學特性的影響.結果錶明,噹SiC-IGBT功率器件漂移層和緩遲層厚度分彆為65 μm和2.5 μm,摻雜濃度分彆為1×1015和5×1015 cm-3時,得到擊穿電壓為3400V,閾值電壓為8V.
운용반도체물리이론화공솔기건모의연건(SILVACO-TCAD),연구료신형관금대재료SiC조책결구IGBT공솔반도체기건적전학특성,모의료불동후도화참잡농도표이층화완충층적IGBT기건적역치전압、개관특성화도통특성곡선,병분석료표이층화완충층후도급참잡농도대전학특성적영향.결과표명,당SiC-IGBT공솔기건표이층화완충층후도분별위65 μm화2.5 μm,참잡농도분별위1×1015화5×1015 cm-3시,득도격천전압위3400V,역치전압위8V.
