CAJ | 학술논문

基于密度泛函理论，采用第一性原理平面波赝势法对不同取向的纳晶硅薄膜以及其表面被不同类型的氧键氧化以后的纳晶硅薄膜电子态密度进行模拟计算。结果表明：当纳晶硅尺寸减小到量子限制尺寸效应数量级时，有效能隙明显展宽；纳晶硅表面部分被氧钝化以后，原本干净的禁带中出现电子局域态。计算结果表明纳晶硅薄膜受激辐射主要由量子受限效应和能隙中的电子局域态决定。
기우밀도범함이론，채용제일성원리평면파안세법대불동취향적납정규박막이급기표면피불동류형적양건양화이후적납정규박막전자태밀도진행모의계산。결과표명：당납정규척촌감소도양자한제척촌효응수량급시，유효능극명현전관；납정규표면부분피양둔화이후，원본간정적금대중출현전자국역태。계산결과표명납정규박막수격복사주요유양자수한효응화능극중적전자국역태결정。