光子学报
光子學報
광자학보
ACTA PHOTONICA SINICA
2012年
3期
307-310
,共4页
于威%李彬%郭少刚%詹小舟%丁文革%傅广生
于威%李彬%郭少剛%詹小舟%丁文革%傅廣生
우위%리빈%곽소강%첨소주%정문혁%부엄생
对靶磁控溅射%非晶硅%氢含量%有序度%光学带隙
對靶磁控濺射%非晶硅%氫含量%有序度%光學帶隙
대파자공천사%비정규%경함량%유서도%광학대극
采用对靶磁控反应溅射技术,以氢气作为反应气体在不同的氢稀释比条件下制备了氢化非晶硅薄膜.利用台阶仪、傅里叶红外透射光谱、Raman谱和紫外-可见光透射谱测量研究了不同氢稀释比对氢化非晶硅薄膜生长速率和结构特性的影响.分析结果发现,利用对靶磁控溅射技术能够实现低温快速沉积高质量氢化非晶硅薄膜的制备.随着氢稀释比不断增加,薄膜沉积速率呈现先减小后增大的趋势.傅里叶红外透射光谱表明,氢化非晶硅薄膜中氢含量先增大后变小.而Raman谱和紫外-可见光透射谱分析发现,氢稀释比的增加使氢化非晶硅薄膜有序度和光学带隙均先增大后减小.可见,此技术通过改变氢稀释比R能够实现氢化非晶硅薄膜结构的有效控制.
採用對靶磁控反應濺射技術,以氫氣作為反應氣體在不同的氫稀釋比條件下製備瞭氫化非晶硅薄膜.利用檯階儀、傅裏葉紅外透射光譜、Raman譜和紫外-可見光透射譜測量研究瞭不同氫稀釋比對氫化非晶硅薄膜生長速率和結構特性的影響.分析結果髮現,利用對靶磁控濺射技術能夠實現低溫快速沉積高質量氫化非晶硅薄膜的製備.隨著氫稀釋比不斷增加,薄膜沉積速率呈現先減小後增大的趨勢.傅裏葉紅外透射光譜錶明,氫化非晶硅薄膜中氫含量先增大後變小.而Raman譜和紫外-可見光透射譜分析髮現,氫稀釋比的增加使氫化非晶硅薄膜有序度和光學帶隙均先增大後減小.可見,此技術通過改變氫稀釋比R能夠實現氫化非晶硅薄膜結構的有效控製.
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