GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器特性非对称性分析
GaAs/AlGaAs양자정홍외탐측기특성비대칭성분석
ASYMMETRY IN THE CHARACTERISTIC OF GaAs/AlGaAs QUANTUM WELL INFRARED PHOTODETECTOR
  • 万方数据
    红外与毫米波学报 홍외여호미파학보
    JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES
    2001年 6期 411-414 ,共4页

    李娜%李宁%陆卫%袁先漳%李志锋%窦红飞%刘京郊%沈学础%金莉%李宏伟%周均铭%黄绮

    리나%리저%륙위%원선장%리지봉%두홍비%류경교%침학출%금리%리굉위%주균명%황기

    量子阱红外探测器%不对称性%解吸附速率 量子阱紅外探測器%不對稱性%解吸附速率
    양자정홍외탐측기%불대칭성%해흡부속솔
    在分子束外延生长量子阱材料过程中,分析了在不同的GaAs/AlGaAs异质结生长次序中Ga的解吸附速率不同和量子阱中掺杂的扩散造成量子阱结构的不对称,讨论了GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器的性能参数相对于正负偏压的不对称性,并与金属有机化合物汽相沉淀法生长的量子阱材料和相应器件进行了比较.发现,采用分子束外延方法生长器件的不对称性更明显.
    재분자속외연생장양자정재료과정중,분석료재불동적GaAs/AlGaAs이질결생장차서중Ga적해흡부속솔불동화양자정중참잡적확산조성양자정결구적불대칭,토론료GaAs/AlGaAs양자정홍외탐측기적성능삼수상대우정부편압적불대칭성,병여금속유궤화합물기상침정법생장적양자정재료화상응기건진행료비교.발현,채용분자속외연방법생장기건적불대칭성경명현.
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