温梯法白宝石晶体的表面形貌研究
온제법백보석정체적표면형모연구
Study on Surface Morphology of Sapphire Crystal Grown by Temperature Gradient Technique(TGT)
  • 万方数据
    人工晶体学报 인공정체학보

    2004年 6期 882-886 ,共5页

    彭观良%周圣明%周国清%李抒智%王银珍%邹军%苏凤莲%刘世良%徐军

    팽관량%주골명%주국청%리서지%왕은진%추군%소봉련%류세량%서군

    白宝石%温梯法%气相传输平衡%多孔表面%GaN%多孔衬底 白寶石%溫梯法%氣相傳輸平衡%多孔錶麵%GaN%多孔襯底
    백보석%온제법%기상전수평형%다공표면%GaN%다공츤저
    本文采用导向温梯法(TGT)生长[0001]方向的白宝石晶体,利用气相传输平衡(VTE)技术对晶体表面进行处理,发现双面抛光的C面白宝石晶片高温下与富锂(Li2O蒸气)气氛发生反应,表面生成一层γ-LiAlO2,随着VTE反应温度从750℃下降到730℃,γ-LiAlO2晶核的颗粒也随着减小,在730℃时已在1μm以下,经稀盐酸(HCl)腐蚀后形成多孔的表面,此方法有望制备出用于外延GaN的多孔衬底.
    본문채용도향온제법(TGT)생장[0001]방향적백보석정체,이용기상전수평형(VTE)기술대정체표면진행처리,발현쌍면포광적C면백보석정편고온하여부리(Li2O증기)기분발생반응,표면생성일층γ-LiAlO2,수착VTE반응온도종750℃하강도730℃,γ-LiAlO2정핵적과립야수착감소,재730℃시이재1μm이하,경희염산(HCl)부식후형성다공적표면,차방법유망제비출용우외연GaN적다공츤저.
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