真空科学与技术学报
真空科學與技術學報
진공과학여기술학보
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE AND TECHNOLOGY
2005年
2期
142-145,149
,共5页
李喜峰%缪维娜%张群%黄丽%章壮健%华中一
李喜峰%繆維娜%張群%黃麗%章壯健%華中一
리희봉%무유나%장군%황려%장장건%화중일
掺钼氧化铟(IMO)膜 直流磁控溅射 高载流子迁移率
摻鉬氧化銦(IMO)膜 直流磁控濺射 高載流子遷移率
참목양화인(IMO)막 직류자공천사 고재류자천이솔
用直流磁控溅射法成功制备了高价态差掺钼氧化铟(IMO)透明导电薄膜.研究了氧分压,基板温度以及溅射电流对IMO薄膜结构和性能的影响.获得的IMO薄膜的最低电阻率为3.65×10-4 Ω·cm,载流子迁移率高达50 cm2V-1s-1,可见光区域的平均透射率(含玻璃基底)高于80%.X-ray衍射(XRD)研究表明IMO薄膜具有良好的结晶性.分析认为IMO薄膜的载流子迁移率主要受晶界散射的控制.
用直流磁控濺射法成功製備瞭高價態差摻鉬氧化銦(IMO)透明導電薄膜.研究瞭氧分壓,基闆溫度以及濺射電流對IMO薄膜結構和性能的影響.穫得的IMO薄膜的最低電阻率為3.65×10-4 Ω·cm,載流子遷移率高達50 cm2V-1s-1,可見光區域的平均透射率(含玻璃基底)高于80%.X-ray衍射(XRD)研究錶明IMO薄膜具有良好的結晶性.分析認為IMO薄膜的載流子遷移率主要受晶界散射的控製.
용직류자공천사법성공제비료고개태차참목양화인(IMO)투명도전박막.연구료양분압,기판온도이급천사전류대IMO박막결구화성능적영향.획득적IMO박막적최저전조솔위3.65×10-4 Ω·cm,재류자천이솔고체50 cm2V-1s-1,가견광구역적평균투사솔(함파리기저)고우80%.X-ray연사(XRD)연구표명IMO박막구유량호적결정성.분석인위IMO박막적재류자천이솔주요수정계산사적공제.
