核技术
覈技術
핵기술
NUCLEAR TECHNIQUES
2006年
10期
725-729
,共5页
徐彭寿%孙柏%邹崇文%武煜宇%潘海斌%徐法强
徐彭壽%孫柏%鄒崇文%武煜宇%潘海斌%徐法彊
서팽수%손백%추숭문%무욱우%반해빈%서법강
碳化硅%锌%氧化锌%热氧化%光电子能谱%同步辐射
碳化硅%鋅%氧化鋅%熱氧化%光電子能譜%同步輻射
탄화규%자%양화자%열양화%광전자능보%동보복사
利用同步辐射光电子能谱(Synchrotron radiation photoelectron spectroscopy,SRPES)和X射线光电子能谱(X-rayphotoelectron spectroscopy,XPS)技术,研究了金属Zn在6H-SiC表面的吸附和热氧化以及ZnO/SiC的界面形成过程.研究结果表明,在SiC表面沉积金属Zn的初始阶段,Zn可以夺取SiC衬底表面残留的氧并与之成键.随着Zn覆盖度的增加,表面具有金属特性.在2.0×10-4Pa的氧气氛中180℃温度退火下,覆盖的Zn会被部分氧化形成ZnO,还有部分Zn因其在真空中的低蒸发温度而逸出表面.在同样的氧气氛中600℃温度退火后,覆盖的金属Zn全部被氧化而生成ZnO.在氧气氛中退火时,衬底也会轻度氧化,从而导致在ZnO/SiC界面处存在一层很薄的Si的氧化层.根据得到的光电子能谱的实验结果,计算出ZnO/SiC异质结的价带偏移为1.1 eV.
利用同步輻射光電子能譜(Synchrotron radiation photoelectron spectroscopy,SRPES)和X射線光電子能譜(X-rayphotoelectron spectroscopy,XPS)技術,研究瞭金屬Zn在6H-SiC錶麵的吸附和熱氧化以及ZnO/SiC的界麵形成過程.研究結果錶明,在SiC錶麵沉積金屬Zn的初始階段,Zn可以奪取SiC襯底錶麵殘留的氧併與之成鍵.隨著Zn覆蓋度的增加,錶麵具有金屬特性.在2.0×10-4Pa的氧氣氛中180℃溫度退火下,覆蓋的Zn會被部分氧化形成ZnO,還有部分Zn因其在真空中的低蒸髮溫度而逸齣錶麵.在同樣的氧氣氛中600℃溫度退火後,覆蓋的金屬Zn全部被氧化而生成ZnO.在氧氣氛中退火時,襯底也會輕度氧化,從而導緻在ZnO/SiC界麵處存在一層很薄的Si的氧化層.根據得到的光電子能譜的實驗結果,計算齣ZnO/SiC異質結的價帶偏移為1.1 eV.
이용동보복사광전자능보(Synchrotron radiation photoelectron spectroscopy,SRPES)화X사선광전자능보(X-rayphotoelectron spectroscopy,XPS)기술,연구료금속Zn재6H-SiC표면적흡부화열양화이급ZnO/SiC적계면형성과정.연구결과표명,재SiC표면침적금속Zn적초시계단,Zn가이탈취SiC츤저표면잔류적양병여지성건.수착Zn복개도적증가,표면구유금속특성.재2.0×10-4Pa적양기분중180℃온도퇴화하,복개적Zn회피부분양화형성ZnO,환유부분Zn인기재진공중적저증발온도이일출표면.재동양적양기분중600℃온도퇴화후,복개적금속Zn전부피양화이생성ZnO.재양기분중퇴화시,츤저야회경도양화,종이도치재ZnO/SiC계면처존재일층흔박적Si적양화층.근거득도적광전자능보적실험결과,계산출ZnO/SiC이질결적개대편이위1.1 eV.
