现代电子技术
現代電子技術
현대전자기술
MODERN ELECTRONICS TECHNIQUE
2006年
19期
34-36
,共3页
许晟瑞%冯辉%郝跃%李德昌
許晟瑞%馮輝%郝躍%李德昌
허성서%풍휘%학약%리덕창
LDMOS%电容%ISE%喙栅结构
LDMOS%電容%ISE%喙柵結構
LDMOS%전용%ISE%훼책결구
射频LDMOS由于具有高击穿电压、高线形、高增益、价格低廉等优势而成为手机基站中的核心射频功率放大器件,LDMOS的栅漏电容Cgd是决定截至频率的主要因素,研究他对射频LDMOS的设计具有重要的意义.通过使用二维器件模拟软件ISE,模拟并研究了射频LDMOS栅漏电容Cgd与栅源电压Vgd和漏源电压Vgs的关系;分析得到LDMOS独特电容特性的原因;得出了栅氧化层厚度、漂移区浓度、沟道区浓度参数对Cgd的影响,并验证了喙栅结构具有比普通结构更优异的射频特性.
射頻LDMOS由于具有高擊穿電壓、高線形、高增益、價格低廉等優勢而成為手機基站中的覈心射頻功率放大器件,LDMOS的柵漏電容Cgd是決定截至頻率的主要因素,研究他對射頻LDMOS的設計具有重要的意義.通過使用二維器件模擬軟件ISE,模擬併研究瞭射頻LDMOS柵漏電容Cgd與柵源電壓Vgd和漏源電壓Vgs的關繫;分析得到LDMOS獨特電容特性的原因;得齣瞭柵氧化層厚度、漂移區濃度、溝道區濃度參數對Cgd的影響,併驗證瞭喙柵結構具有比普通結構更優異的射頻特性.
사빈LDMOS유우구유고격천전압、고선형、고증익、개격저렴등우세이성위수궤기참중적핵심사빈공솔방대기건,LDMOS적책루전용Cgd시결정절지빈솔적주요인소,연구타대사빈LDMOS적설계구유중요적의의.통과사용이유기건모의연건ISE,모의병연구료사빈LDMOS책루전용Cgd여책원전압Vgd화루원전압Vgs적관계;분석득도LDMOS독특전용특성적원인;득출료책양화층후도、표이구농도、구도구농도삼수대Cgd적영향,병험증료훼책결구구유비보통결구경우이적사빈특성.
