微纳电子技术
微納電子技術
미납전자기술
MICRONANOELECTRONIC TECHNOLOGY
2009年
5期
311-313,318
,共4页
T型栅%深紫外%化学放大胶%分辨率增强技术%砷化镓%赝配高电子迁移率晶体管%单片微波集成电路
T型柵%深紫外%化學放大膠%分辨率增彊技術%砷化鎵%贗配高電子遷移率晶體管%單片微波集成電路
T형책%심자외%화학방대효%분변솔증강기술%신화가%안배고전자천이솔정체관%단편미파집성전로
描述了一种采用化学方法的分辨率增强技术制作深亚微米T型栅的技术.该技术采用DUV投影光刻机和化学放大正性光刻胶(CAR)以及分辨率增强技术,在完成源漏制作等工艺的严重不平坦的GaAs衬底上,采用0.25 μm设计的光刻版制作出0.18μmT型栅,突破了采用常规光学光刻时栅长的制作限制.介绍了GaAs器件在栅光刻时遇到的困难,描述了工艺制作过程,并讨论了该工艺技术中每步工艺的思路和采用的工艺原理.通过在6～18 GHz GaAsPHEMT功率放大器制作中的应用,提高了器件性能及成品率,并给出了测试结果以及0.18μmT型栅的电镜图片.
描述瞭一種採用化學方法的分辨率增彊技術製作深亞微米T型柵的技術.該技術採用DUV投影光刻機和化學放大正性光刻膠(CAR)以及分辨率增彊技術,在完成源漏製作等工藝的嚴重不平坦的GaAs襯底上,採用0.25 μm設計的光刻版製作齣0.18μmT型柵,突破瞭採用常規光學光刻時柵長的製作限製.介紹瞭GaAs器件在柵光刻時遇到的睏難,描述瞭工藝製作過程,併討論瞭該工藝技術中每步工藝的思路和採用的工藝原理.通過在6～18 GHz GaAsPHEMT功率放大器製作中的應用,提高瞭器件性能及成品率,併給齣瞭測試結果以及0.18μmT型柵的電鏡圖片.
묘술료일충채용화학방법적분변솔증강기술제작심아미미T형책적기술.해기술채용DUV투영광각궤화화학방대정성광각효(CAR)이급분변솔증강기술,재완성원루제작등공예적엄중불평탄적GaAs츤저상,채용0.25 μm설계적광각판제작출0.18μmT형책,돌파료채용상규광학광각시책장적제작한제.개소료GaAs기건재책광각시우도적곤난,묘술료공예제작과정,병토론료해공예기술중매보공예적사로화채용적공예원리.통과재6～18 GHz GaAsPHEMT공솔방대기제작중적응용,제고료기건성능급성품솔,병급출료측시결과이급0.18μmT형책적전경도편.
