物理实验
物理實驗
물리실험
PHYSICS EXPERIMENTATION
2009年
8期
42-46
,共5页
掺杂镓酸钕%固体电解质%钙钛矿结构%电导率
摻雜鎵痠釹%固體電解質%鈣鈦礦結構%電導率
참잡가산녀%고체전해질%개태광결구%전도솔
用甘氨酸-硝酸盐法制备出钙钛矿结构的电解质材料NdGa1-xMgxO3-δ. 研究表明,Mg掺杂NdGaO3氧化物在室温下均为立方钙钛矿结构. B位掺杂Mg2+极大地提高了NdGaO3的电导率,比纯NdGaO3的电导率提高了3个数量级. 1 400 ℃下烧结20 h的样品NdGa0.914Mg0.086O2.957呈现出最好的烧结性能,相对密度达到了99.4%,800 ℃时的电导率达到了2.99×10-2 S·cm-1,高于同温度下YSZ电解质的电导率. 表明NdGa0.914Mg0.086O2.957氧化物是一种具有潜在应用价值的中温电解质材料.
用甘氨痠-硝痠鹽法製備齣鈣鈦礦結構的電解質材料NdGa1-xMgxO3-δ. 研究錶明,Mg摻雜NdGaO3氧化物在室溫下均為立方鈣鈦礦結構. B位摻雜Mg2+極大地提高瞭NdGaO3的電導率,比純NdGaO3的電導率提高瞭3箇數量級. 1 400 ℃下燒結20 h的樣品NdGa0.914Mg0.086O2.957呈現齣最好的燒結性能,相對密度達到瞭99.4%,800 ℃時的電導率達到瞭2.99×10-2 S·cm-1,高于同溫度下YSZ電解質的電導率. 錶明NdGa0.914Mg0.086O2.957氧化物是一種具有潛在應用價值的中溫電解質材料.
용감안산-초산염법제비출개태광결구적전해질재료NdGa1-xMgxO3-δ. 연구표명,Mg참잡NdGaO3양화물재실온하균위립방개태광결구. B위참잡Mg2+겁대지제고료NdGaO3적전도솔,비순NdGaO3적전도솔제고료3개수량급. 1 400 ℃하소결20 h적양품NdGa0.914Mg0.086O2.957정현출최호적소결성능,상대밀도체도료99.4%,800 ℃시적전도솔체도료2.99×10-2 S·cm-1,고우동온도하YSZ전해질적전도솔. 표명NdGa0.914Mg0.086O2.957양화물시일충구유잠재응용개치적중온전해질재료.
