微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2012年
1期
97-101
,共5页
涂志娣%萱磊%李可%岑俊龙%梁松海
塗誌娣%萱磊%李可%岑俊龍%樑鬆海
도지제%훤뢰%리가%잠준룡%량송해
单周期清零%V-LRU RAM%高速缓存%时钟周期%缺失率
單週期清零%V-LRU RAM%高速緩存%時鐘週期%缺失率
단주기청령%V-LRU RAM%고속완존%시종주기%결실솔
提出并实现了一种高速缓存的V-LRU RAM单周期清零技术.运行操作系统的CPU在不同任务之间切换时,需要对V-LRU RAM清零.使用传统的计数器依次清空V-LRU RAM的各行,CPU会白白浪费很多个时钟周期.在一个时钟周期对V-LRU RAM清空,可以大大提高CPU的性能.在四路组相联的高速缓存设计中,容量为16 k、8k和4k字节时,使用该技术可以将以前的256、128和64个时钟周期降低到只有1个时钟周期.基于SMIC O.13μm工艺,实现该技术的硬件电路面积为6 312.8μm2,且高速缓存的缺失率保持在非常低的水平.这种技术同样适用于对RAM需要单周期清空的场合.
提齣併實現瞭一種高速緩存的V-LRU RAM單週期清零技術.運行操作繫統的CPU在不同任務之間切換時,需要對V-LRU RAM清零.使用傳統的計數器依次清空V-LRU RAM的各行,CPU會白白浪費很多箇時鐘週期.在一箇時鐘週期對V-LRU RAM清空,可以大大提高CPU的性能.在四路組相聯的高速緩存設計中,容量為16 k、8k和4k字節時,使用該技術可以將以前的256、128和64箇時鐘週期降低到隻有1箇時鐘週期.基于SMIC O.13μm工藝,實現該技術的硬件電路麵積為6 312.8μm2,且高速緩存的缺失率保持在非常低的水平.這種技術同樣適用于對RAM需要單週期清空的場閤.
제출병실현료일충고속완존적V-LRU RAM단주기청령기술.운행조작계통적CPU재불동임무지간절환시,수요대V-LRU RAM청령.사용전통적계수기의차청공V-LRU RAM적각행,CPU회백백낭비흔다개시종주기.재일개시종주기대V-LRU RAM청공,가이대대제고CPU적성능.재사로조상련적고속완존설계중,용량위16 k、8k화4k자절시,사용해기술가이장이전적256、128화64개시종주기강저도지유1개시종주기.기우SMIC O.13μm공예,실현해기술적경건전로면적위6 312.8μm2,차고속완존적결실솔보지재비상저적수평.저충기술동양괄용우대RAM수요단주기청공적장합.
