光散射学报
光散射學報
광산사학보
CHINESE JOURNAL OF LIGHT SCATTERING
2004年
1期
44-47
,共4页
谭平恒%周霞%杨富华%BOUGEARD D%SABATHIL H%VOGL P%ABSTREITER G%Brunner K
譚平恆%週霞%楊富華%BOUGEARD D%SABATHIL H%VOGL P%ABSTREITER G%Brunner K
담평항%주하%양부화%BOUGEARD D%SABATHIL H%VOGL P%ABSTREITER G%Brunner K
量子点%电子拉曼散射%共振拉曼散射
量子點%電子拉曼散射%共振拉曼散射
양자점%전자랍만산사%공진랍만산사
quantum dots%electronic Raman scattering
在本文中我们首次报道了p型掺杂的自组织Si/Ge量子点中空穴能级子带间的电子拉曼散射,此电子跃迁的能量为105meV.Si/Ge量子点Ge-Ge模的共振拉曼散射表明此空穴能级间的电子拉曼散射与Γ点附近的E0(≈2.52eV)发生了共振,而E1的能量小于2.3eV.变温实验和偏振实验进一步证实了我们的指认.所有观测的实验数据与6-band k@p能带结构理论的计算结果吻合得很好.
在本文中我們首次報道瞭p型摻雜的自組織Si/Ge量子點中空穴能級子帶間的電子拉曼散射,此電子躍遷的能量為105meV.Si/Ge量子點Ge-Ge模的共振拉曼散射錶明此空穴能級間的電子拉曼散射與Γ點附近的E0(≈2.52eV)髮生瞭共振,而E1的能量小于2.3eV.變溫實驗和偏振實驗進一步證實瞭我們的指認.所有觀測的實驗數據與6-band k@p能帶結構理論的計算結果吻閤得很好.
재본문중아문수차보도료p형참잡적자조직Si/Ge양자점중공혈능급자대간적전자랍만산사,차전자약천적능량위105meV.Si/Ge양자점Ge-Ge모적공진랍만산사표명차공혈능급간적전자랍만산사여Γ점부근적E0(≈2.52eV)발생료공진,이E1적능량소우2.3eV.변온실험화편진실험진일보증실료아문적지인.소유관측적실험수거여6-band k@p능대결구이론적계산결과문합득흔호.
The first resonant electronic Raman spectroscopy study of discrete electronic transitions within self-assembled Si/Ge quantum dots (QD) is reported in this paper. A Raman transition of localized holes with a dispersionless energy of 105 meV and a resonance energy to virtually localized electrons at the direct band gap E0≈2.52 eV far above the indirect fundamental band gap of Si/Ge are observed. Both values are in agreement with 6-band k@p band structure calculations for such QDs.