微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2007年
1期
113-117
,共5页
电流基准源%电压调制器%亚阈值MOSFET%CMOS集成电路
電流基準源%電壓調製器%亞閾值MOSFET%CMOS集成電路
전류기준원%전압조제기%아역치MOSFET%CMOS집성전로
基于亚阈值MOSFET,提出了一种新颖的高电源抑制比(PSRR)电流基准源.基准电路充分利用工作在亚阈值区MOSFET的I-V跨导特性和改进的具有高负反馈环路增益预电压调制,为电流基准核电路提供电源.电路设计采用SMIC 0.18 μm标准CMOS数字工艺技术.在1.5 V电源电压下,电路输出1.701 μA的稳定电流,在-40 ℃到150 ℃温度范围内,具有非常低的温度系数(2.5×10-4 μA /℃);并且,在宽泛的频率范围内,具有很好的电源噪声抑制能力.电源抑制比在dc频率为-126 dB,在高于1 MHz频率范围内,仍能保持-92 dB.基准电路在高于1.2 V电源电压下可以稳定工作,并具有很好的CMOS工艺兼容性.
基于亞閾值MOSFET,提齣瞭一種新穎的高電源抑製比(PSRR)電流基準源.基準電路充分利用工作在亞閾值區MOSFET的I-V跨導特性和改進的具有高負反饋環路增益預電壓調製,為電流基準覈電路提供電源.電路設計採用SMIC 0.18 μm標準CMOS數字工藝技術.在1.5 V電源電壓下,電路輸齣1.701 μA的穩定電流,在-40 ℃到150 ℃溫度範圍內,具有非常低的溫度繫數(2.5×10-4 μA /℃);併且,在寬汎的頻率範圍內,具有很好的電源譟聲抑製能力.電源抑製比在dc頻率為-126 dB,在高于1 MHz頻率範圍內,仍能保持-92 dB.基準電路在高于1.2 V電源電壓下可以穩定工作,併具有很好的CMOS工藝兼容性.
기우아역치MOSFET,제출료일충신영적고전원억제비(PSRR)전류기준원.기준전로충분이용공작재아역치구MOSFET적I-V과도특성화개진적구유고부반궤배로증익예전압조제,위전류기준핵전로제공전원.전로설계채용SMIC 0.18 μm표준CMOS수자공예기술.재1.5 V전원전압하,전로수출1.701 μA적은정전류,재-40 ℃도150 ℃온도범위내,구유비상저적온도계수(2.5×10-4 μA /℃);병차,재관범적빈솔범위내,구유흔호적전원조성억제능력.전원억제비재dc빈솔위-126 dB,재고우1 MHz빈솔범위내,잉능보지-92 dB.기준전로재고우1.2 V전원전압하가이은정공작,병구유흔호적CMOS공예겸용성.
