物理学报
物理學報
물이학보
2007年
5期
2958-2961
,共4页
孙征%徐仲英%阮学忠%姬扬%孙宝权%倪海桥
孫徵%徐仲英%阮學忠%姬颺%孫寶權%倪海橋
손정%서중영%원학충%희양%손보권%예해교
InAs亚单层%自旋弛豫%BAP机理
InAs亞單層%自鏇弛豫%BAP機理
InAs아단층%자선이예%BAP궤리
利用偏振时间分辨光谱和时间分辨Kerr旋转谱,研究了(GaAs中的InAs单层和亚单层的电子自旋动力学.实验发现,在非共振激发条件下,厚度为l/3单层的InAs山亚单层中电子自旋弛豫寿命长达3.4 ns,而1个单层厚的InAs层的电子自旋寿命只有0.48 ns;而在共振激发条件下,亚单层结构中的电子自旋寿命大大减少,只有70ps,单层hLAs中电子自旋寿命没有显著变化.分析表明,低温下InAa单层和亚单层结构中,Bir-Aronov-Pikus(BAP)自旋弛豫机理占主导地位.通过改变材料结构特性和激发条件来改变电子空穴的空间相关性,从而达到控制自旋弛豫的目的.
利用偏振時間分辨光譜和時間分辨Kerr鏇轉譜,研究瞭(GaAs中的InAs單層和亞單層的電子自鏇動力學.實驗髮現,在非共振激髮條件下,厚度為l/3單層的InAs山亞單層中電子自鏇弛豫壽命長達3.4 ns,而1箇單層厚的InAs層的電子自鏇壽命隻有0.48 ns;而在共振激髮條件下,亞單層結構中的電子自鏇壽命大大減少,隻有70ps,單層hLAs中電子自鏇壽命沒有顯著變化.分析錶明,低溫下InAa單層和亞單層結構中,Bir-Aronov-Pikus(BAP)自鏇弛豫機理佔主導地位.通過改變材料結構特性和激髮條件來改變電子空穴的空間相關性,從而達到控製自鏇弛豫的目的.
이용편진시간분변광보화시간분변Kerr선전보,연구료(GaAs중적InAs단층화아단층적전자자선동역학.실험발현,재비공진격발조건하,후도위l/3단층적InAs산아단층중전자자선이예수명장체3.4 ns,이1개단층후적InAs층적전자자선수명지유0.48 ns;이재공진격발조건하,아단층결구중적전자자선수명대대감소,지유70ps,단층hLAs중전자자선수명몰유현저변화.분석표명,저온하InAa단층화아단층결구중,Bir-Aronov-Pikus(BAP)자선이예궤리점주도지위.통과개변재료결구특성화격발조건래개변전자공혈적공간상관성,종이체도공제자선이예적목적.
