半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2008年
10期
885-887
,共3页
钆掺杂氧化铈%固体电解质%制备
釓摻雜氧化鈰%固體電解質%製備
구참잡양화시%고체전해질%제비
掺杂CeO2基复合氧化物是一种很有应用前景的中温固体电解质材料.以Ce(NO3)3·6H2O、Gd(NO3)3·6H2O为原料,NH4HCO3为沉淀剂,采用雾化共沉淀工艺合成了Ce0.8Gd0.2O1.9-δ粉体.XRD测定表明,Ce0.8Gd0.2O1.9-δ粉体及其烧结体均为立方萤石结构,符合电解质材料的要求.TEM图片显示所得粉体呈近球形,分散性较好且具有较高的烧结活性.将所合成的粉体在1 400℃下烧结制得了较致密的固体氧化物电解质陶瓷样品,此烧结温度比普通粉体的烧结温度(>1 600℃)低了200℃以上.不同温度下所得烧结样品的Arrhenius曲线研究表明,提高致密度对提高电导率具有重要意义.
摻雜CeO2基複閤氧化物是一種很有應用前景的中溫固體電解質材料.以Ce(NO3)3·6H2O、Gd(NO3)3·6H2O為原料,NH4HCO3為沉澱劑,採用霧化共沉澱工藝閤成瞭Ce0.8Gd0.2O1.9-δ粉體.XRD測定錶明,Ce0.8Gd0.2O1.9-δ粉體及其燒結體均為立方螢石結構,符閤電解質材料的要求.TEM圖片顯示所得粉體呈近毬形,分散性較好且具有較高的燒結活性.將所閤成的粉體在1 400℃下燒結製得瞭較緻密的固體氧化物電解質陶瓷樣品,此燒結溫度比普通粉體的燒結溫度(>1 600℃)低瞭200℃以上.不同溫度下所得燒結樣品的Arrhenius麯線研究錶明,提高緻密度對提高電導率具有重要意義.
참잡CeO2기복합양화물시일충흔유응용전경적중온고체전해질재료.이Ce(NO3)3·6H2O、Gd(NO3)3·6H2O위원료,NH4HCO3위침정제,채용무화공침정공예합성료Ce0.8Gd0.2O1.9-δ분체.XRD측정표명,Ce0.8Gd0.2O1.9-δ분체급기소결체균위립방형석결구,부합전해질재료적요구.TEM도편현시소득분체정근구형,분산성교호차구유교고적소결활성.장소합성적분체재1 400℃하소결제득료교치밀적고체양화물전해질도자양품,차소결온도비보통분체적소결온도(>1 600℃)저료200℃이상.불동온도하소득소결양품적Arrhenius곡선연구표명,제고치밀도대제고전도솔구유중요의의.
