半导体光电
半導體光電
반도체광전
SEMICONDUCTOR OPTOELECTRONICS
2008年
4期
500-502,557
,共4页
陈宏泰%刘英斌%花吉珍%安振峰
陳宏泰%劉英斌%花吉珍%安振峰
진굉태%류영빈%화길진%안진봉
半导体激光器%无铝有源区%外延生长%大功率%寿命
半導體激光器%無鋁有源區%外延生長%大功率%壽命
반도체격광기%무려유원구%외연생장%대공솔%수명
外延生长了InGaAsP/GaInP/AlGaInP无铝有源区808 nm激光器材料,制作了标准准连续(QCW)单条器件.结果表明,器件工作波长为808nm,腔面未镀膜时,其阈值电流密度为286A/cm2,斜率效率为1.2W/A,内损耗为2.1cm-1,内量子效率为0.87.镀膜后,阈值电流密度为300A/cm2,180A时的输出功率为180W,斜率效率大于1.15W/A.在载体温度为60℃时,准连续工作3×108个脉冲后,功率下降小于5%.
外延生長瞭InGaAsP/GaInP/AlGaInP無鋁有源區808 nm激光器材料,製作瞭標準準連續(QCW)單條器件.結果錶明,器件工作波長為808nm,腔麵未鍍膜時,其閾值電流密度為286A/cm2,斜率效率為1.2W/A,內損耗為2.1cm-1,內量子效率為0.87.鍍膜後,閾值電流密度為300A/cm2,180A時的輸齣功率為180W,斜率效率大于1.15W/A.在載體溫度為60℃時,準連續工作3×108箇脈遲後,功率下降小于5%.
외연생장료InGaAsP/GaInP/AlGaInP무려유원구808 nm격광기재료,제작료표준준련속(QCW)단조기건.결과표명,기건공작파장위808nm,강면미도막시,기역치전류밀도위286A/cm2,사솔효솔위1.2W/A,내손모위2.1cm-1,내양자효솔위0.87.도막후,역치전류밀도위300A/cm2,180A시적수출공솔위180W,사솔효솔대우1.15W/A.재재체온도위60℃시,준련속공작3×108개맥충후,공솔하강소우5%.
