太阳能学报
太暘能學報
태양능학보
ACTA ENERGIAE SOLARIS SINICA
2010年
10期
1343-1348
,共6页
邸明东%周骏%孙铁囤%孙永堂
邸明東%週駿%孫鐵囤%孫永堂
저명동%주준%손철돈%손영당
a-Si(n)/c-Si(p)异质结太阳电池%微晶硅%背面场%AFORS_HET
a-Si(n)/c-Si(p)異質結太暘電池%微晶硅%揹麵場%AFORS_HET
a-Si(n)/c-Si(p)이질결태양전지%미정규%배면장%AFORS_HET
针对两种a-Si(n)/c-Si(p)异质结太阳电池结构,应用AFORS_HET软件,分析氧化非晶硅(a-Si:H)和氢化微晶硅(μc-Si:H)两种材料作为背面场时的特性参数对a-Si(n)/c-Si(p)异质结太阳电池性能的影响.结果表明:P型氢化微晶硅(μc-Si:H(p))为背面场时电池性能得到提高,μc-Si:H(p)的背面场特性是关键因素.最后,优化设计出以a-Si:H为窗口层、μc-Si:H为背面场的a-Si(n)/c-Si(p)异质结太阳电池TCO/a-Si:H(n)/a-Si:H(i)/c-Si(p)/a-Si:H(i)/μc-Si:H(p)/TCO,并获得20%的转换效率.
針對兩種a-Si(n)/c-Si(p)異質結太暘電池結構,應用AFORS_HET軟件,分析氧化非晶硅(a-Si:H)和氫化微晶硅(μc-Si:H)兩種材料作為揹麵場時的特性參數對a-Si(n)/c-Si(p)異質結太暘電池性能的影響.結果錶明:P型氫化微晶硅(μc-Si:H(p))為揹麵場時電池性能得到提高,μc-Si:H(p)的揹麵場特性是關鍵因素.最後,優化設計齣以a-Si:H為窗口層、μc-Si:H為揹麵場的a-Si(n)/c-Si(p)異質結太暘電池TCO/a-Si:H(n)/a-Si:H(i)/c-Si(p)/a-Si:H(i)/μc-Si:H(p)/TCO,併穫得20%的轉換效率.
침대량충a-Si(n)/c-Si(p)이질결태양전지결구,응용AFORS_HET연건,분석양화비정규(a-Si:H)화경화미정규(μc-Si:H)량충재료작위배면장시적특성삼수대a-Si(n)/c-Si(p)이질결태양전지성능적영향.결과표명:P형경화미정규(μc-Si:H(p))위배면장시전지성능득도제고,μc-Si:H(p)적배면장특성시관건인소.최후,우화설계출이a-Si:H위창구층、μc-Si:H위배면장적a-Si(n)/c-Si(p)이질결태양전지TCO/a-Si:H(n)/a-Si:H(i)/c-Si(p)/a-Si:H(i)/μc-Si:H(p)/TCO,병획득20%적전환효솔.
