半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2005年
2期
299-303
,共5页
自旋场效应晶体管%Rashba自旋轨道相互作用%蒙特卡罗方法
自鏇場效應晶體管%Rashba自鏇軌道相互作用%矇特卡囉方法
자선장효응정체관%Rashba자선궤도상호작용%몽특잡라방법
利用蒙特卡罗方法对SiGe/Ge/SiGe异质结构的自旋极化输运特性进行了模拟研究.在Ge沟道调制掺杂异质结构形成的二维空穴气中,空穴的自旋进动主要受Rashba自旋轨道相互作用控制.在77～300K的温度范围内,对自旋散射长度、自旋极化率等自旋极化输运特性进行了研究.模拟结果显示,低温和窄宽度沟道有利于减小散射对自旋极化输运的影响,避免自旋极化率衰减,增大自旋散射长度.栅控的漏端电流自旋相关效应使器件跨导增大,并产生负跨导效应.
利用矇特卡囉方法對SiGe/Ge/SiGe異質結構的自鏇極化輸運特性進行瞭模擬研究.在Ge溝道調製摻雜異質結構形成的二維空穴氣中,空穴的自鏇進動主要受Rashba自鏇軌道相互作用控製.在77～300K的溫度範圍內,對自鏇散射長度、自鏇極化率等自鏇極化輸運特性進行瞭研究.模擬結果顯示,低溫和窄寬度溝道有利于減小散射對自鏇極化輸運的影響,避免自鏇極化率衰減,增大自鏇散射長度.柵控的漏耑電流自鏇相關效應使器件跨導增大,併產生負跨導效應.
이용몽특잡라방법대SiGe/Ge/SiGe이질결구적자선겁화수운특성진행료모의연구.재Ge구도조제참잡이질결구형성적이유공혈기중,공혈적자선진동주요수Rashba자선궤도상호작용공제.재77～300K적온도범위내,대자선산사장도、자선겁화솔등자선겁화수운특성진행료연구.모의결과현시,저온화착관도구도유리우감소산사대자선겁화수운적영향,피면자선겁화솔쇠감,증대자선산사장도.책공적루단전류자선상관효응사기건과도증대,병산생부과도효응.
