半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2006年
z1期
140-143
,共4页
许向东%郭福隆%周卫%刘志弘%张兆健%李希有%张伟%钱佩信
許嚮東%郭福隆%週衛%劉誌弘%張兆健%李希有%張偉%錢珮信
허향동%곽복륭%주위%류지홍%장조건%리희유%장위%전패신
弛豫SiGe%UHV/CVD%离子注入
弛豫SiGe%UHV/CVD%離子註入
이예SiGe%UHV/CVD%리자주입
通过离子注人硅衬底,在表面引入缺陷,诱导超高真空化学气相沉积(UHV/CVD)生长的外延SiGe发生驰豫,以制备薄的高弛豫SiGe.利用微区Raman和Tapping AFM技术,对所生长的SiGe材料进行了表征.结果表明,上述方法能够制备厚度为100nm、弛豫度达94%的大面积(直径为125mm)均匀SiGe材料.然而,相同条件下,如果高能离子直接辐照SiGe层,将极大地损坏外延材料的晶体结构,得到多晶SiGe.此外,还通过选择性腐蚀外层SiGe的实验,对相关微观机制进行了研究.
通過離子註人硅襯底,在錶麵引入缺陷,誘導超高真空化學氣相沉積(UHV/CVD)生長的外延SiGe髮生馳豫,以製備薄的高弛豫SiGe.利用微區Raman和Tapping AFM技術,對所生長的SiGe材料進行瞭錶徵.結果錶明,上述方法能夠製備厚度為100nm、弛豫度達94%的大麵積(直徑為125mm)均勻SiGe材料.然而,相同條件下,如果高能離子直接輻照SiGe層,將極大地損壞外延材料的晶體結構,得到多晶SiGe.此外,還通過選擇性腐蝕外層SiGe的實驗,對相關微觀機製進行瞭研究.
통과리자주인규츤저,재표면인입결함,유도초고진공화학기상침적(UHV/CVD)생장적외연SiGe발생치예,이제비박적고이예SiGe.이용미구Raman화Tapping AFM기술,대소생장적SiGe재료진행료표정.결과표명,상술방법능구제비후도위100nm、이예도체94%적대면적(직경위125mm)균균SiGe재료.연이,상동조건하,여과고능리자직접복조SiGe층,장겁대지손배외연재료적정체결구,득도다정SiGe.차외,환통과선택성부식외층SiGe적실험,대상관미관궤제진행료연구.
