微纳电子技术
微納電子技術
미납전자기술
MICRONANOELECTRONIC TECHNOLOGY
2008年
6期
342-346
,共5页
张理%姚军%王大甲%饶青%钟洪声
張理%姚軍%王大甲%饒青%鐘洪聲
장리%요군%왕대갑%요청%종홍성
射频微机电系统%开关%隔离度%X波段%衬底刻槽
射頻微機電繫統%開關%隔離度%X波段%襯底刻槽
사빈미궤전계통%개관%격리도%X파단%츤저각조
研究了一种新型的、应用于X波段的高隔离度RF MEMS电容式并联开关结构.相比于普通的并联结构,该开关通过共面波导(CPW)传输线与地平面之间的衬底刻槽结构将隔离度提高了7 dB,关态时在13.5 GHz谐振频率处的隔离度为-54.6 dB,执行电压为26 V.弹簧梁结构开关的执行电压下降为14 V,在11 GHz处其隔离度为-42.8 dB.通过两个并联开关级联与开关间的高阻传输线构成的π型调谐开关电路,在11.5 GHZ处的隔离度为-81.6 dB.
研究瞭一種新型的、應用于X波段的高隔離度RF MEMS電容式併聯開關結構.相比于普通的併聯結構,該開關通過共麵波導(CPW)傳輸線與地平麵之間的襯底刻槽結構將隔離度提高瞭7 dB,關態時在13.5 GHz諧振頻率處的隔離度為-54.6 dB,執行電壓為26 V.彈簧樑結構開關的執行電壓下降為14 V,在11 GHz處其隔離度為-42.8 dB.通過兩箇併聯開關級聯與開關間的高阻傳輸線構成的π型調諧開關電路,在11.5 GHZ處的隔離度為-81.6 dB.
연구료일충신형적、응용우X파단적고격리도RF MEMS전용식병련개관결구.상비우보통적병련결구,해개관통과공면파도(CPW)전수선여지평면지간적츤저각조결구장격리도제고료7 dB,관태시재13.5 GHz해진빈솔처적격리도위-54.6 dB,집행전압위26 V.탄황량결구개관적집행전압하강위14 V,재11 GHz처기격리도위-42.8 dB.통과량개병련개관급련여개관간적고조전수선구성적π형조해개관전로,재11.5 GHZ처적격리도위-81.6 dB.
