硅漂移探测器的制作工艺及特性研究
규표이탐측기적제작공예급특성연구
Fabrication and Characterizing of Silicon Drift Detectors
  • 万方数据
    核电子学与探测技术 핵전자학여탐측기술
    NUCLEAR ELECTRONICS & DETECTION TECHNOLOGY
    2009年 2期 436-441 ,共6页

    吴广国%黄勇%贾彬%曹学营%孟祥承%王焕玉%李秀芝%梁琨%杨茹%韩德俊

    오엄국%황용%가빈%조학영%맹상승%왕환옥%리수지%량곤%양여%한덕준

    硅漂移探测器%制作工艺%光响应度%漂移特性%悬空阳极电位 硅漂移探測器%製作工藝%光響應度%漂移特性%懸空暘極電位
    규표이탐측기%제작공예%광향응도%표이특성%현공양겁전위
    采用双面并行的平面工艺研制出了有源区面积5mm2的硅漂移探测器(SDD).这种双面并行的平面工艺使得SDD绝大部分正面和背面的pn结结构能够并行完成,极大地减少了工艺步骤,降低了器件制作的难度.对研制的SDD的漏电流、电势分布、光电子的漂移特性等进行了测量和分析,对233Pu a射线源的能谱进行了测量.对正常工作状态下出现的悬空阳极电位进行了分析和讨论.报道了利用阳极漏电流、光电子漂移特性、悬空阳极电位对SDD芯片进行中测和封装前快速筛选的方法.
    채용쌍면병행적평면공예연제출료유원구면적5mm2적규표이탐측기(SDD).저충쌍면병행적평면공예사득SDD절대부분정면화배면적pn결결구능구병행완성,겁대지감소료공예보취,강저료기건제작적난도.대연제적SDD적루전류、전세분포、광전자적표이특성등진행료측량화분석,대233Pu a사선원적능보진행료측량.대정상공작상태하출현적현공양겁전위진행료분석화토론.보도료이용양겁루전류、광전자표이특성、현공양겁전위대SDD심편진행중측화봉장전쾌속사선적방법.
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