常州大学学报（自然科学版）
常州大學學報（自然科學版）
상주대학학보（자연과학판）
Journal of ChangZhou University(Natural Science Edition)
2012年
2期
5-10
,共6页
陈明明%袁宁一%丁建宁%赵亚芝
陳明明%袁寧一%丁建寧%趙亞芝
진명명%원저일%정건저%조아지
等离子体化学气相沉积%二维自适应模型%电子密度%沉积速率
等離子體化學氣相沉積%二維自適應模型%電子密度%沉積速率
등리자체화학기상침적%이유자괄응모형%전자밀도%침적속솔
通过建立二维自适应模型,对等离子体化学气相沉积系统反应室中SiH4/H2在射频辉光放电条件下的多物理场进行仿真模拟,模拟结果显示:当射频功率和硅烷体积分数增大时,极板间电子密度增大,薄膜沉积速率也随之加快,但沉积的均匀性变差.结合利用该PECVD设备制备的薄膜微结构和沉积速率测试结果,得出射频功率为80W,SiH4体积分数为1％时,薄膜的平均晶粒大小和晶化率最大,薄膜沉积速率较快且均匀性较好.
通過建立二維自適應模型,對等離子體化學氣相沉積繫統反應室中SiH4/H2在射頻輝光放電條件下的多物理場進行倣真模擬,模擬結果顯示:噹射頻功率和硅烷體積分數增大時,極闆間電子密度增大,薄膜沉積速率也隨之加快,但沉積的均勻性變差.結閤利用該PECVD設備製備的薄膜微結構和沉積速率測試結果,得齣射頻功率為80W,SiH4體積分數為1％時,薄膜的平均晶粒大小和晶化率最大,薄膜沉積速率較快且均勻性較好.
통과건립이유자괄응모형,대등리자체화학기상침적계통반응실중SiH4/H2재사빈휘광방전조건하적다물리장진행방진모의,모의결과현시:당사빈공솔화규완체적분수증대시,겁판간전자밀도증대,박막침적속솔야수지가쾌,단침적적균균성변차.결합이용해PECVD설비제비적박막미결구화침적속솔측시결과,득출사빈공솔위80W,SiH4체적분수위1％시,박막적평균정립대소화정화솔최대,박막침적속솔교쾌차균균성교호.
