电镀与精饰
電鍍與精飾
전도여정식
PLATING & FINISHING
2007年
1期
1-4,26
,共5页
曹为民%石新红%印仁和%姬学彬%张磊%曹赟
曹為民%石新紅%印仁和%姬學彬%張磊%曹赟
조위민%석신홍%인인화%희학빈%장뢰%조빈
电结晶%Cu/Co多层膜%成核%巨磁阻效应
電結晶%Cu/Co多層膜%成覈%巨磁阻效應
전결정%Cu/Co다층막%성핵%거자조효응
在硼酸镀液中以单晶Si(111)为基底用双槽法制备Cu/Co多层膜,在镀液中分别加入了镀铜添加剂2000#和镀钴添加剂5#.探讨了镀层电结晶成核机理,在基础镀液中铜电结晶为三维连续成核过程,钴电结晶在较低电位下为三维连续成核,在较高电位下为三维瞬时成核过程.加入添加剂后,铜、钴电结晶均为三维瞬时成核过程.测试了Cu/Co多层膜的磁性能;添加剂能提高多层膜的磁性能,无添加剂的Cu/Co多层膜的巨磁阻(GMR)值约为5%,而在加入了添加剂后,其GMR值高达52%.
在硼痠鍍液中以單晶Si(111)為基底用雙槽法製備Cu/Co多層膜,在鍍液中分彆加入瞭鍍銅添加劑2000#和鍍鈷添加劑5#.探討瞭鍍層電結晶成覈機理,在基礎鍍液中銅電結晶為三維連續成覈過程,鈷電結晶在較低電位下為三維連續成覈,在較高電位下為三維瞬時成覈過程.加入添加劑後,銅、鈷電結晶均為三維瞬時成覈過程.測試瞭Cu/Co多層膜的磁性能;添加劑能提高多層膜的磁性能,無添加劑的Cu/Co多層膜的巨磁阻(GMR)值約為5%,而在加入瞭添加劑後,其GMR值高達52%.
재붕산도액중이단정Si(111)위기저용쌍조법제비Cu/Co다층막,재도액중분별가입료도동첨가제2000#화도고첨가제5#.탐토료도층전결정성핵궤리,재기출도액중동전결정위삼유련속성핵과정,고전결정재교저전위하위삼유련속성핵,재교고전위하위삼유순시성핵과정.가입첨가제후,동、고전결정균위삼유순시성핵과정.측시료Cu/Co다층막적자성능;첨가제능제고다층막적자성능,무첨가제적Cu/Co다층막적거자조(GMR)치약위5%,이재가입료첨가제후,기GMR치고체52%.
