材料研究学报
材料研究學報
재료연구학보
CHINESE JOURNAL OF MATERIALS RESEARCH
2000年
z1期
104-107
,共4页
立方BN膜%射频PCVD%基体%结合力
立方BN膜%射頻PCVD%基體%結閤力
립방BN막%사빈PCVD%기체%결합력
研究了在不同基体上用射频PCVD方法沉积的BN膜结果表明,镀层中的c-BN含量、残余应力、镀层硬度基本上不受基体种类的影响,但沉积速度、膜基结合力却有较大差别.镀层由a-BN和c-BN组成,c-BN的尺寸为20～40nm.镀层的硬度为HV3000,残余应力为7.0GPa.
研究瞭在不同基體上用射頻PCVD方法沉積的BN膜結果錶明,鍍層中的c-BN含量、殘餘應力、鍍層硬度基本上不受基體種類的影響,但沉積速度、膜基結閤力卻有較大差彆.鍍層由a-BN和c-BN組成,c-BN的呎吋為20～40nm.鍍層的硬度為HV3000,殘餘應力為7.0GPa.
연구료재불동기체상용사빈PCVD방법침적적BN막결과표명,도층중적c-BN함량、잔여응력、도층경도기본상불수기체충류적영향,단침적속도、막기결합력각유교대차별.도층유a-BN화c-BN조성,c-BN적척촌위20～40nm.도층적경도위HV3000,잔여응력위7.0GPa.
