真空科学与技术学报
真空科學與技術學報
진공과학여기술학보
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE AND TECHNOLOGY
2006年
z1期
134-139
,共6页
郝斌魁%姜雪宁%张庆瑜%陈充林
郝斌魁%薑雪寧%張慶瑜%陳充林
학빈괴%강설저%장경유%진충림
反应射频磁控溅射%GDC电解质薄膜%基片温度%X射线衍射%原子力显微镜
反應射頻磁控濺射%GDC電解質薄膜%基片溫度%X射線衍射%原子力顯微鏡
반응사빈자공천사%GDC전해질박막%기편온도%X사선연사%원자력현미경
利用Gd/Ce镶嵌复合靶、采用反应射频磁控溅射技术制备了Gd2O3掺杂CeO2(GDC)氧离子导体电解质薄膜,重点探讨了基片温度对薄膜物相结构、沉积速率及生长形貌的影响.分析结果表明,不同温度下制备的薄膜中,立方面心结构GDC固溶体相占主导,同时存在少量体心立方结构Gd2O3中间相;GDC薄膜的生长取向随基片温度而变化,200℃时,无择优取向,500℃时薄膜呈现(220)织构,700℃则为(111)择优取向;薄膜沉积速率随基片温度呈阶段性规律变化,(220)方向择优生长越显著,沉积速率越高,薄膜粗糙度越大;AFM分析表明,薄膜为岛状生长,随温度升高,表面生长岛尺寸增大,岛密度变小.
利用Gd/Ce鑲嵌複閤靶、採用反應射頻磁控濺射技術製備瞭Gd2O3摻雜CeO2(GDC)氧離子導體電解質薄膜,重點探討瞭基片溫度對薄膜物相結構、沉積速率及生長形貌的影響.分析結果錶明,不同溫度下製備的薄膜中,立方麵心結構GDC固溶體相佔主導,同時存在少量體心立方結構Gd2O3中間相;GDC薄膜的生長取嚮隨基片溫度而變化,200℃時,無擇優取嚮,500℃時薄膜呈現(220)織構,700℃則為(111)擇優取嚮;薄膜沉積速率隨基片溫度呈階段性規律變化,(220)方嚮擇優生長越顯著,沉積速率越高,薄膜粗糙度越大;AFM分析錶明,薄膜為島狀生長,隨溫度升高,錶麵生長島呎吋增大,島密度變小.
이용Gd/Ce양감복합파、채용반응사빈자공천사기술제비료Gd2O3참잡CeO2(GDC)양리자도체전해질박막,중점탐토료기편온도대박막물상결구、침적속솔급생장형모적영향.분석결과표명,불동온도하제비적박막중,립방면심결구GDC고용체상점주도,동시존재소량체심립방결구Gd2O3중간상;GDC박막적생장취향수기편온도이변화,200℃시,무택우취향,500℃시박막정현(220)직구,700℃칙위(111)택우취향;박막침적속솔수기편온도정계단성규률변화,(220)방향택우생장월현저,침적속솔월고,박막조조도월대;AFM분석표명,박막위도상생장,수온도승고,표면생장도척촌증대,도밀도변소.
