微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2007年
1期
41-44
,共4页
高低压兼容%偏置栅高压MOS%标准CMOS工艺%PMOS器件
高低壓兼容%偏置柵高壓MOS%標準CMOS工藝%PMOS器件
고저압겸용%편치책고압MOS%표준CMOS공예%PMOS기건
采用常规P阱CMOS工艺,实现了与CMOS工艺兼容的高压PMOS器件.制作的器件,其击穿电压为55 V,阈值电压0.92 V,驱动电流25 mA.对所设计的CMOS兼容高压PMOS器件的制造工艺、器件结构和测试等方面进行了阐述.该器件已成功应用于VFD平板显示系列电路.
採用常規P阱CMOS工藝,實現瞭與CMOS工藝兼容的高壓PMOS器件.製作的器件,其擊穿電壓為55 V,閾值電壓0.92 V,驅動電流25 mA.對所設計的CMOS兼容高壓PMOS器件的製造工藝、器件結構和測試等方麵進行瞭闡述.該器件已成功應用于VFD平闆顯示繫列電路.
채용상규P정CMOS공예,실현료여CMOS공예겸용적고압PMOS기건.제작적기건,기격천전압위55 V,역치전압0.92 V,구동전류25 mA.대소설계적CMOS겸용고압PMOS기건적제조공예、기건결구화측시등방면진행료천술.해기건이성공응용우VFD평판현시계렬전로.
