微纳电子技术
微納電子技術
미납전자기술
MICRONANOELECTRONIC TECHNOLOGY
2008年
9期
505-507,511
,共4页
邱旭%崔玉兴%李剑锋%余若祺%张博闻
邱旭%崔玉興%李劍鋒%餘若祺%張博聞
구욱%최옥흥%리검봉%여약기%장박문
大功率%高性能FET%高效率%高线性%内匹配
大功率%高性能FET%高效率%高線性%內匹配
대공솔%고성능FET%고효솔%고선성%내필배
介绍了一种GaAs高效率高线性大功率晶体管的设计、制作和性能,包括材料结构设计、电路的CAD优化设计、功率合成技术研究等.通过管芯的结构设计、材料优化,进行了GaAs微波大栅宽芯片的研制;通过内匹配技术对HPFET(high performance FET)管芯进行阻抗匹配,实现了器件的大功率输出;通过提高栅-漏击穿电压、降低饱和压降等手段提高器件的功率和附加效率;通过严格控制栅凹槽的宽度,实现了较好的线性特性.测试结果表明,器件在5.3～5.9 GHz频段内,P1dB为45 W,功率附加效率ηadd为41%,实现了预期的设计目标.
介紹瞭一種GaAs高效率高線性大功率晶體管的設計、製作和性能,包括材料結構設計、電路的CAD優化設計、功率閤成技術研究等.通過管芯的結構設計、材料優化,進行瞭GaAs微波大柵寬芯片的研製;通過內匹配技術對HPFET(high performance FET)管芯進行阻抗匹配,實現瞭器件的大功率輸齣;通過提高柵-漏擊穿電壓、降低飽和壓降等手段提高器件的功率和附加效率;通過嚴格控製柵凹槽的寬度,實現瞭較好的線性特性.測試結果錶明,器件在5.3～5.9 GHz頻段內,P1dB為45 W,功率附加效率ηadd為41%,實現瞭預期的設計目標.
개소료일충GaAs고효솔고선성대공솔정체관적설계、제작화성능,포괄재료결구설계、전로적CAD우화설계、공솔합성기술연구등.통과관심적결구설계、재료우화,진행료GaAs미파대책관심편적연제;통과내필배기술대HPFET(high performance FET)관심진행조항필배,실현료기건적대공솔수출;통과제고책-루격천전압、강저포화압강등수단제고기건적공솔화부가효솔;통과엄격공제책요조적관도,실현료교호적선성특성.측시결과표명,기건재5.3～5.9 GHz빈단내,P1dB위45 W,공솔부가효솔ηadd위41%,실현료예기적설계목표.
