真空
真空
진공
VACUUM
2010年
3期
20-23
,共4页
申陈海%卢景霄%陈永生%郭学军%陈庆东
申陳海%盧景霄%陳永生%郭學軍%陳慶東
신진해%로경소%진영생%곽학군%진경동
μc-Si:H%VHF-PECVD%高速沉积%结晶状况%电学特性
μc-Si:H%VHF-PECVD%高速沉積%結晶狀況%電學特性
μc-Si:H%VHF-PECVD%고속침적%결정상황%전학특성
利用甚高频等离子增强化学气相沉积(VHF-PECVD)制备了一系列微晶硅(μc-Si:H)薄膜.研究分析了功率密度、硅烷浓度和气体流量在较高沉积气压(500 Pa和600 Pa)下对薄膜生长速率、结晶状况和电学特性的影响.研究表明:在高压强条件下,硅烷浓度和气体流量对沉积速率影响显著,而功率密度影响较弱;高沉积速率生长的薄膜孵化层较厚;电学特性较好的薄膜位于非晶/微晶过渡区.经过工艺的初步优化,在高压强(600 Pa)条件下,使微晶硅薄膜的沉积速率提升到2.1 nm/s.
利用甚高頻等離子增彊化學氣相沉積(VHF-PECVD)製備瞭一繫列微晶硅(μc-Si:H)薄膜.研究分析瞭功率密度、硅烷濃度和氣體流量在較高沉積氣壓(500 Pa和600 Pa)下對薄膜生長速率、結晶狀況和電學特性的影響.研究錶明:在高壓彊條件下,硅烷濃度和氣體流量對沉積速率影響顯著,而功率密度影響較弱;高沉積速率生長的薄膜孵化層較厚;電學特性較好的薄膜位于非晶/微晶過渡區.經過工藝的初步優化,在高壓彊(600 Pa)條件下,使微晶硅薄膜的沉積速率提升到2.1 nm/s.
이용심고빈등리자증강화학기상침적(VHF-PECVD)제비료일계렬미정규(μc-Si:H)박막.연구분석료공솔밀도、규완농도화기체류량재교고침적기압(500 Pa화600 Pa)하대박막생장속솔、결정상황화전학특성적영향.연구표명:재고압강조건하,규완농도화기체류량대침적속솔영향현저,이공솔밀도영향교약;고침적속솔생장적박막부화층교후;전학특성교호적박막위우비정/미정과도구.경과공예적초보우화,재고압강(600 Pa)조건하,사미정규박막적침적속솔제승도2.1 nm/s.
