燕山大学学报
燕山大學學報
연산대학학보
JOURNAL OF YANSHAN UNIVERSITY
2002年
1期
71-74,94
,共5页
柳翠%李东春%于栋利%何巨龙%田永君%刘世民
柳翠%李東春%于棟利%何巨龍%田永君%劉世民
류취%리동춘%우동리%하거룡%전영군%류세민
CNx薄膜%离子束溅射%温度
CNx薄膜%離子束濺射%溫度
CNx박막%리자속천사%온도
采用离子束溅射法,在单晶Si(100)基片上制备CNx薄膜.研究了基片温度对CNx薄膜性能和结构的影响.结果表明:随着基片温度的提高,薄膜生长致密,表面光滑;薄膜硬度逐渐提高,但温度升高到200℃后,硬度增加缓慢.同时,基片温度升高使薄膜中的N含量增加,促进C-N化合物结晶.X射线衍射结果证明在850℃时,薄膜中产生α-C3N4晶相.
採用離子束濺射法,在單晶Si(100)基片上製備CNx薄膜.研究瞭基片溫度對CNx薄膜性能和結構的影響.結果錶明:隨著基片溫度的提高,薄膜生長緻密,錶麵光滑;薄膜硬度逐漸提高,但溫度升高到200℃後,硬度增加緩慢.同時,基片溫度升高使薄膜中的N含量增加,促進C-N化閤物結晶.X射線衍射結果證明在850℃時,薄膜中產生α-C3N4晶相.
채용리자속천사법,재단정Si(100)기편상제비CNx박막.연구료기편온도대CNx박막성능화결구적영향.결과표명:수착기편온도적제고,박막생장치밀,표면광활;박막경도축점제고,단온도승고도200℃후,경도증가완만.동시,기편온도승고사박막중적N함량증가,촉진C-N화합물결정.X사선연사결과증명재850℃시,박막중산생α-C3N4정상.
